上海芯元基半导体科技有限公司郝茂盛获国家专利权
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龙图腾网获悉上海芯元基半导体科技有限公司申请的专利正装、倒装及垂直LED芯片， MIP芯片结构， 及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119108479B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310676051.5，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权正装、倒装及垂直LED芯片， MIP芯片结构， 及其制作方法是由郝茂盛;张楠;马艳红;艾进保设计研发完成，并于2023-06-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本正装、倒装及垂直LED芯片， MIP芯片结构， 及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种正装、倒装及垂直LED芯片，MIP芯片结构，及其制作方法，包括：衬底；第一LED芯片结构，包括：沿远离衬底的方向依次堆叠的N型外延层、量子阱发光层、P型外延层以及透明导电层；N型外延层包括第一台阶与第二台阶；量子阱发光层、P型外延层以及透明导电层依次堆叠于第二台阶上；第一电极与第二电极；第一电极形成于第一台阶上；第二电极形成于透明导电层的表面；色转换层与第一反射镜层；色转换层分布于N型外延层的靠近衬底的一侧、第一LED芯片结构的侧壁以及透明导电层的表面，且暴露出第一电极与第二电极；第一反射镜层覆盖色转换层。该技术方案解决了LED芯片的色转换效率不高，以及蓝光漏光的问题。
本发明授权正装、倒装及垂直LED芯片， MIP芯片结构， 及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种正装LED芯片，其特征在于，包括： 衬底； 第一LED芯片结构；所述第一LED芯片结构包括：沿远离所述衬底的方向依次堆叠的N型外延层、量子阱发光层、P型外延层以及透明导电层；其中，所述N型外延层包括一台阶结构；所述台阶结构包括第一台阶与第二台阶；所述量子阱发光层、所述P型外延层以及所述透明导电层依次堆叠于所述第二台阶上；第一电极与第二电极；所述第一电极形成于所述第一台阶上；所述第二电极形成于所述透明导电层的表面； 色转换层与第一反射镜层；所述色转换层分布于所述N型外延层的靠近所述衬底的一侧、所述第一LED芯片结构的侧壁以及所述透明导电层的表面，且暴露出所述第一电极与所述第二电极；所述第一反射镜层覆盖所述色转换层，所述第一反射镜层用于透射红光，反射其他颜色的光，所述色转换层位于所述第一反射镜层和所述透明衬底之间。
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