上海华虹宏力半导体制造有限公司王雷获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利OPC建模方法及OPC修正方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119065192B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411098822.8，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权OPC建模方法及OPC修正方法是由王雷设计研发完成，并于2024-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本OPC建模方法及OPC修正方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种OPC建模方法包括步骤：设计2个以上具有不同图形密度的版图测试图形。将各组版图测试图形转移到晶圆上形成晶圆测试图形。比较各图形密度下晶圆测试图形和版图测试图形之间的尺寸差。根据各尺寸差在各版图测试图形中选定一个作为版图标准测试图形，将版图标准测试图形对应的尺寸差作为标准尺寸差。利用标准尺寸差建立OPC标准模型。利用各图形密度下的尺寸差和标准尺寸差的尺寸差偏差拟合得到和图形密度相关的调制函数。将各图形密度下的调制函数和OPC标准模型相乘得到对应的OPC调制模型。本发明还公开了一种OPC修正方法。本发明能反应出图形密度对图形准确度的实际影响，从而能提高OPC修正的准确度，且能减少计算量，降低建模难度。
本发明授权OPC建模方法及OPC修正方法在权利要求书中公布了：1.一种OPC建模方法，其特征在于，包括步骤： 设计2个以上具有不同图形密度的版图测试图形； 将各所述版图测试图形转移到晶圆上形成晶圆测试图形； 比较各所述图形密度下所述晶圆测试图形和所述版图测试图形之间的尺寸差； 根据各所述图形密度的所述尺寸差在各所述版图测试图形中选定一个所述版图测试图形作为版图标准测试图形，将所述版图标准测试图形对应的所述尺寸差作为标准尺寸差； 利用所述标准尺寸差建立所述版图测试图形对应的OPC标准模型； 利用各所述图形密度下的所述尺寸差和所述标准尺寸差的尺寸差偏差拟合得到和所述图形密度相关的调制函数； 将各所述图形密度下的所述调制函数和所述OPC标准模型相乘得到对应图形密度的OPC调制模型。
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