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龙图腾网获悉西安空间无线电技术研究所申请的专利一种多用户低吸收高效率大口径液晶光学相控阵天线获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118963036B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411211927.X，技术领域涉及：G02F1/29；该发明授权一种多用户低吸收高效率大口径液晶光学相控阵天线是由赵卫岗;康博超;谭庆贵;刘星设计研发完成，并于2024-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多用户低吸收高效率大口径液晶光学相控阵天线在说明书摘要公布了：一种多用户低吸收高效率大口径液晶光学相控阵天线，采用电控横向场电极布局、时空复用驱动和卐”字型紧凑结构，通过4个旋转对称的子孔径区域组成，4个子孔径区域电极组成一个“卐”字结构，通过在同一玻璃基板上设置ITO电极阵列A、ITO电极阵列B及金属电极的方式，实现电极之间的横向电场驱动液晶分子指向矢偏转，减去了COMITO电极，能够实现低吸收率、高衍射效率、大规模电极阵列、高度集成化的大口径的液晶光学相控阵器件。

本发明授权一种多用户低吸收高效率大口径液晶光学相控阵天线在权利要求书中公布了：1.一种多用户低吸收高效率大口径液晶光学相控阵天线，其特征在于： 包括子孔径区域，子孔径区域数量为4个且各子孔径区域间呈旋转对称； 子孔径区域包括第一增透膜、第一基板、液晶分子层、第二基板、第二增透膜，由上至下依次层叠设置；液晶分子层内周期排布设置有间隔子，液晶分子层两端通过框胶粘连第一基板底部及第二基板顶部； 第一基板包括第一玻璃基板、第一PI取向层，第一玻璃基板设置于第一PI取向层上；第二基板包括第二PI取向层、ITO电极阵列A、ITO电极阵列B、金属电极、第二玻璃基板，由上至下依次层叠设置；第一PI取向层、第二PI取向层均通过框胶粘连在液晶分子层上下两侧；金属电极设置于第二基板的第二PI取向层中央位置，ITO电极阵列A、ITO电极阵列B组成ITO阵列层，设置于第二PI取向层下方，ITO阵列层搭载设置于第二玻璃基板上；金属电极与ITO电极阵列B组成梳状结构电极，梳状结构电极通过金属电极连接到外部驱动电路的GND端，ITO电极阵列A用于加载交替变化的正负电场，梳状结构电极的ITO电极阵列B与加载后的ITO电极阵列A形成横向电场以驱动液晶分子层的液晶分子指向矢偏转。

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