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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118866868B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411040371.2，技术领域涉及：H01L23/528；该发明授权半导体结构及其形成方法是由杨勤学;常潇;肖畅设计研发完成，并于2024-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体结构及其形成方法，半导体结构，包括：衬底，衬底上有多个存储区；相邻存储区之间有外围区，外围区中有电路区；绝缘层，覆盖衬底；第一垂直互连结构，位于电路区上方，贯穿绝缘层，第一垂直互连结构底部与电路区连接，顶部与第一电路互连层连接；其中，第一垂直互连结构的顶端至少部分嵌入第一电路互连层的底面；部分位于外围区的绝缘层的上表面呈向下凹形。本公开的半导体结构，有助于减少结构缺陷，避免不同材料层的分层，减小垂直方向的传输阻抗，提高产品良率。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 在衬底上形成存储区； 相邻所述存储区之间有外围区，所述外围区中有电路区； 形成绝缘层，所述绝缘层覆盖所述衬底； 在所述绝缘层中形成通孔，所述通孔贯穿所述绝缘层； 填充所述通孔形成第一垂直互连结构； 形成第一电路互连层，所述第一垂直互连结构底部与所述电路区连接，顶部与所述第一电路互连层连接，所述第一垂直互连结构的顶端至少部分嵌入所述第一电路互连层的底面；部分位于所述外围区的所述绝缘层的上表面呈向下凹形； 在形成绝缘层之后，形成通孔之前，在所述绝缘层上方沉积抑制膜层，所述抑制膜层在所述绝缘层上方各处厚度基本相同，所述抑制膜层和所述绝缘层包括，位于相邻所述存储区之间的第一区域和第二区域，位于所述存储区上方的第三区域，所述第一区域有第一宽度，所述第二区域有第二宽度，其中所述第二宽度大于所述第一宽度； 由上而下依次去除部分所述抑制膜层和部分所述绝缘层，至露出位于所述第三区域的所述绝缘层，位于所述第一区域和所述第二区域的所述抑制膜层仍有部分剩余；其中 所述抑制膜层的剩余部分在所述第一区域有第一厚度，在所述第二区域有第二厚度，所述第二厚度大于所述第一厚度。

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