中芯国际集成电路制造(上海)有限公司王占雨获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利图形修正方法、存储介质和终端获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118838120B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310458926.4，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权图形修正方法、存储介质和终端是由王占雨设计研发完成，并于2023-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本图形修正方法、存储介质和终端在说明书摘要公布了：一种图形修正方法、存储介质和终端，方法包括：提供第一待修正版版图；成对应各第一待修正图形的若干辅助图形；对第一待修正版图进行第一光学邻近效应修正获取第二待修正版图，第二待修正版图包括若干第二待修正图形；对第二待修正版图进行第一模拟曝光，获取若干个第一模拟曝光版图，若干个第一模拟曝光图形的轮廓构成曝光带；根据曝光带在各个位置的宽度，获取第二待修正图形的弱点区域；获取弱点区域周围的目标辅助图形，并对目标辅助图形进行修正，直至弱点区域对应的曝光带的宽度满足预设范围，获取对应目标辅助图形的修正辅助图形；基于修正辅助图形和辅助图形，对第二待修正版图进行修正，获取修正版图。所述修正方法的精准度提升。
本发明授权图形修正方法、存储介质和终端在权利要求书中公布了：1.一种图形修正方法，其特征在于，包括： 提供第一待修正版图，所述第一待修正版图包括若干第一待修正图形； 生成对应各所述第一待修正图形的若干辅助图形； 对所述第一待修正版图进行第一光学邻近效应修正，获取第二待修正版图，所述第二待修正版图包括若干与第一待修正图形对应的第二待修正图形； 对所述第二待修正版图进行第一模拟曝光，获取若干个第一模拟曝光版图，每一个第二待修正图形对应若干个第一模拟曝光图形，若干个第一模拟曝光图形的轮廓构成曝光带； 根据所述曝光带在各个位置的宽度，获取第二待修正图形的弱点区域，所述弱点区域对应的曝光带的宽度未满足预设范围； 获取所述弱点区域周围的目标辅助图形，并对所述目标辅助图形进行修正，直至所述弱点区域对应的曝光带的宽度满足预设范围，获取对应所述目标辅助图形的修正辅助图形； 基于所述修正辅助图形和辅助图形，对所述第二待修正版图进行第二光学邻近效应修正，获取修正版图。
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