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龙图腾网获悉浙江铖昌科技股份有限公司申请的专利一种噪声去嵌方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118837639B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410839629.9，技术领域涉及：G01R29/26；该发明授权一种噪声去嵌方法及装置是由丁旭;徐梦园;李云锋设计研发完成，并于2024-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种噪声去嵌方法及装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种噪声去嵌方法及装置，属于芯片测量领域。方法包括：获取被测器件的S参数测量值和噪声参数测量值，并获取预设去嵌结构的S参数测量值；获取的测量值均是在S参数校准和噪声校准后测量得到的；根据S参数测量值以及电阻‑电感‑电容负载模型中的已知电阻值，计算负载模型中的等效电容值和等效电感值；负载模型的电路连接方式为：电容与电阻形成并联电路，该并联电路与电感串联；根据负载模型计算负载真实反射系数，并将负载真实反射系数代入去嵌算法中计算得到待去嵌结构的S参数；根据待去嵌结构的S参数以及被测器件的S参数测量值和噪声参数测量值，计算去嵌后被测器件的真实噪声参数。本发明得到的噪声去嵌结果精度更高。

本发明授权一种噪声去嵌方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种噪声去嵌方法，其特征在于，所述方法包括： 获取被测器件的S参数测量值和噪声参数测量值，并获取预设去嵌结构的S参数测量值；获取的测量值均是在S参数校准和噪声校准后测量得到的；S参数测量值为多个，多个S参数测量值与多个频点一一对应； 根据S参数测量值以及电阻-电感-电容负载模型中的已知电阻值，计算所述电阻-电感-电容负载模型中的等效电容值和等效电感值，包括：基于预设去嵌结构的S参数测量值，确定每一个频点所对应开路去嵌结构的反射系数；根据每一个频点及其所对应开路去嵌结构的反射系数，计算每一个频点所对应的电容值；对每一个频点的电容值进行计算得到等效电容值；利用如下公式对所述电阻-电感-电容负载模型中频点为f时的电感L进行求解，得到两个第一电感值；利用LRRM去嵌算法对电阻-电感负载模型进行求解得到的频点为f的第二电感值；将与所述第二电感值误差最小的第一电感值确定为求解得到的真实电感值；对每一个频点的真实电感值进行计算得到等效电感值；所述电阻-电感-电容负载模型的电路连接方式为：电容与电阻形成并联电路，该并联电路与电感串联； 公式为： 其中，RM为已知电阻值，Ce为等效电容值，B为电纳，GO和BO分别为开路去嵌结构的电导和电纳； 根据所述电阻-电感-电容负载模型计算负载真实反射系数，并将所述负载真实反射系数代入去嵌算法中计算得到待去嵌结构的S参数； 根据待去嵌结构的S参数以及所述被测器件的S参数测量值和噪声参数测量值，计算去嵌后被测器件的真实噪声参数。

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