上海华虹宏力半导体制造有限公司王俊杰获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利深沟槽隔离结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230653B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310341203.6，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权深沟槽隔离结构及其制造方法是由王俊杰;蔡莹;朱兆强;金锋设计研发完成，并于2023-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本深沟槽隔离结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种深沟槽隔离结构，包括硅衬底，硅衬底上的隔离结构区上形成有多个孔状的深沟槽；其中，相邻的两深沟槽之间的间距均位于预设范围内，间距小于在深沟槽热氧化形成氧化层所需的硅厚度；深沟槽中形成有氧化层，氧化层上形成有间隙，间隙中填充有绝缘材料层。本发明的深沟槽结构设计成间隔合理的通孔状深沟槽阵列，剩余的硅相互连接，不会有倒掉的风险。
本发明授权深沟槽隔离结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种深沟槽隔离结构，其特征在于，包括：硅衬底，所述硅衬底上的隔离结构区上形成有多个孔状的深沟槽，使得多个所述深沟槽之间的所述硅衬底相互连接；其中， 相邻的两所述深沟槽之间的间距均位于预设范围内，所述深沟槽中形成有氧化层，所述氧化层上形成有间隙，所述间隙中填充有绝缘材料层，所述深沟槽的形状为等腰三角形、每个内角均为120°的六边形中的任意一种；相邻的两所述深沟槽之间的所述间距均相等。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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