爱德华兹真空泵有限责任公司K·卡尔获国家专利权
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龙图腾网获悉爱德华兹真空泵有限责任公司申请的专利调压式半导体晶片冷却装置和方法以及调压装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115053334B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202180014485.8,技术领域涉及:H01L21/67;该发明授权调压式半导体晶片冷却装置和方法以及调压装置是由K·卡尔设计研发完成,并于2021-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本调压式半导体晶片冷却装置和方法以及调压装置在说明书摘要公布了:公开一种半导体晶片冷却系统和方法以及一种用于减轻半导体晶片调节回路中的压力增加的调压装置。所述调压装置包括:缓冲容器,所述缓冲容器包括入口和出口通道;其中所述入口通道被配置成在操作中与所述半导体晶片调节回路的较高压位置流体连通,并且所述出口通道被配置成在操作中与较低压位置流体连通。所述入口通道包括压力控制阀,所述压力控制阀被配置成在正常操作期间关闭所述入口通道,使得所述缓冲容器与所述调节回路的所述较高压位置隔离并响应于所述半导体调节回路内的压力上升到预先确定的水平以上打开所述入口通道。
本发明授权调压式半导体晶片冷却装置和方法以及调压装置在权利要求书中公布了:1.一种用于减轻半导体晶片调节回路中的压力增加的调压装置,所述调压装置包括: 缓冲容器,所述缓冲容器包括入口通道和出口通道;其中 所述入口通道被配置成在操作中与所述半导体晶片调节回路的较高压位置流体连通,并且所述出口通道被配置成在操作中与所述半导体晶片调节回路的较低压位置流体连通; 所述入口通道包括至少一个压力控制阀,所述压力控制阀被配置成在正常操作期间关闭所述入口通道,使得所述缓冲容器与所述半导体晶片调节回路的所述较高压位置隔离并响应于所述半导体晶片调节回路内的所述压力上升到预先确定的压力水平以上打开所述入口通道。
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