格芯(美国)集成电路科技有限公司V·杰恩获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯(美国)集成电路科技有限公司申请的专利包括具有集成光电二极管的光流控传感器的器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115046969B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210137384.6，技术领域涉及：G01N21/64；该发明授权包括具有集成光电二极管的光流控传感器的器件是由V·杰恩;S·M·尚克;安东尼·肯德尔·斯坦普;J·J·埃利斯-莫纳甘;J·J·派卡里克;卞宇生设计研发完成，并于2022-02-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括具有集成光电二极管的光流控传感器的器件在说明书摘要公布了：本公开涉及一种包括具有集成光电二极管的光流控传感器的器件。“芯片实验室”包括光流控传感器和用于分析来自光流控传感器的信号的部件。光流控传感器包括：衬底；沟道，其至少部分地由衬底上的第一材料层的一部分限定；与沟道流体连通的输入和输出流体储器；耦合到衬底的至少第一辐射源，其适于在朝向沟道的方向上生成辐射；以及与沟道相邻并位于其下方的至少一个光电二极管。
本发明授权包括具有集成光电二极管的光流控传感器的器件在权利要求书中公布了：1.一种光流控器件，包括： 衬底； 沟道，其形成在第一材料层的上表面的至少一部分上并由所述至少一部分限定，所述第一材料层形成在所述衬底上，所述沟道的壁由包括电介质材料的第二材料形成，所述沟道适于在其中接收流体； 输入流体储器； 输出流体储器，其中所述沟道与所述输入流体储器和所述输出流体储器流体连通； 可操作地耦合到所述衬底的第一辐射源，其中所述第一辐射源适于在朝向所述沟道的第一方向上生成辐射，其中所述第一方向基本垂直于所述沟道的长轴； 位于所述沟道下方的至少一个第一光电二极管，其中，所述至少一个第一光电二极管中的每一个包括具有位于所述第一材料层中的上表面的半导体主体和位于所述至少一个第一光电二极管中的每个半导体主体下方的改性衬底区域； 第二辐射源，其中所述第二辐射源适于在与所述沟道的所述长轴基本平行的方向上生成辐射；以及 至少一个第二光电二极管，其被定位为位于所述沟道下方并被光学耦合到所述沟道，所述至少一个第二光电二极管在与所述沟道的所述长轴平行的方向上与所述至少一个第一光电二极管间隔开。
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