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龙图腾网获悉江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司申请的专利碳化硅晶体生长装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114892275B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210572806.2，技术领域涉及：C30B29/36；该发明授权碳化硅晶体生长装置是由李远田;陈俊宏;李兆颖;周来平设计研发完成，并于2022-05-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅晶体生长装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碳化硅晶体生长装置，包括：坩埚本体，坩埚本体具有顶部敞开的容纳腔；坩埚盖，坩埚盖设于坩埚本体的敞开口处，坩埚盖的内侧粘贴有籽晶；导流件，导流件设于容纳腔内，导流件包括支撑杆和导流叶片，支撑杆竖向设置，导流叶片环绕支撑杆设置，导流叶片和支撑杆限定出螺旋气流通道；石墨过滤板，石墨过滤板设于螺旋气流通道内，且石墨过滤板连接在螺旋气流通道的相邻两层之间，石墨过滤板设有多个过滤孔，每个过滤孔在石墨过滤板的厚度方向上贯穿石墨过滤板，石墨过滤板为多个，多个石墨过滤板沿螺旋气流通道的轴向方向分层排布。根据本发明的碳化硅晶体生长装置，可减少微管等缺陷，有利于提高碳化硅晶体质量。

本发明授权碳化硅晶体生长装置在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶体生长装置，其特征在于，包括： 坩埚本体，所述坩埚本体具有顶部敞开的容纳腔，所述容纳腔的底部放置有碳化硅原料； 坩埚盖，所述坩埚盖设于所述坩埚本体的敞开口处，所述坩埚盖的内侧粘贴有籽晶； 导流件，所述导流件设于所述容纳腔内，所述导流件包括支撑杆和导流叶片，所述支撑杆竖向设置，所述导流叶片环绕所述支撑杆设置，且所述导流叶片沿支撑杆的轴向方向螺旋延伸，所述导流叶片的径向内壁与所述支撑杆的径向外壁连接，所述导流叶片和所述支撑杆限定出螺旋气流通道； 石墨过滤板，所述石墨过滤板设于所述螺旋气流通道内，且所述石墨过滤板连接在所述螺旋气流通道的相邻两层之间，且所述石墨过滤板的径向内侧与所述支撑杆的径向外侧连接，所述石墨过滤板设有多个过滤孔，每个所述过滤孔在所述石墨过滤板的厚度方向上贯穿所述石墨过滤板，所述石墨过滤板为多个，多个所述石墨过滤板沿所述螺旋气流通道的轴向方向分层排布；在所述支撑杆的轴向上，相邻两层所述石墨过滤板分别位于所述支撑杆的径向两侧； 还包括： 驱动装置，所述驱动装置设于所述坩埚本体的下方，所述支撑杆的底部穿过坩埚本体与所述驱动装置相连，所述驱动装置适于驱动所述导流件在不同转速下转动； 第一导流罩，所述第一导流罩罩设在所述导流件的外侧，所述第一导流罩的底部形成有与所述碳化硅原料正对的第一敞开口，所述第一导流罩的顶部形成有与所述籽晶正对的第二敞开口，在由下到上的方向上，所述导流叶片的外径以及所述第一导流罩的内径均逐渐减少；所述第一导流罩设有多个导流孔，所述导流孔在所述第一导流罩的厚度方向上贯穿所述第一导流罩，所述碳化硅晶体生长装置还包括：第二导流罩，所述第二导流罩罩设在所述第一导流罩的外侧，且所述第二导流罩的内壁与所述第一导流罩的外壁间隔开，所述第二导流罩的顶部具有与所述籽晶以及所述第二敞开口正对的第三敞开口。

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