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龙图腾网获悉深圳市汉嵙新材料技术有限公司申请的专利原位测试LED芯片附着层导热率的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114674868B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210282545.0，技术领域涉及：G01N25/20；该发明授权原位测试LED芯片附着层导热率的方法是由易典;王荣福设计研发完成，并于2022-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本原位测试LED芯片附着层导热率的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种原位测试LED芯片附着层导热率的方法，其包括如下步骤：获取多个测试工件，获取各测试工件的截面面积及芯片附着层的厚度；将测试工件置于温度恒定的环境下通电，通电时依次向各测试工件施加多个电流值不相同的加热电流，对应获取施加各电流时测试工件的电功率PE、光功率PL及LED功能主体的温度Tj，将获得的数据以PE‑PL为自变量、以Tj为因变量进行线性拟合，拟合所得直线的斜率为总热阻Rth；以测试工件中芯片附着层的厚度d为自变量、以各测试工件的总热阻Rth为因变量进行线性拟合，所得直线的斜率为芯片附着层单位厚度上的热阻Rs。上述原位测量LED芯片附着层导热率的方法的测量精度处于5％以内，能够实现对于芯片附着层的导热率的测量。

本发明授权原位测试LED芯片附着层导热率的方法在权利要求书中公布了：1.一种原位测试LED芯片附着层导热率的方法，其特征在于，包括如下步骤： 获取多个测试工件，所述测试工件中将电介质层省略，各所述测试工件包括衬底及于所述衬底上依次设置的芯片附着层和LED功能主体，不同的所述测试工件中的所述芯片附着层的厚度不同、垂直于厚度方向上的截面面积相同，获取所述截面面积及所述芯片附着层的厚度； 获取各所述测试工件的总热阻Rth，获取所述总热阻Rth的方式包括如下步骤：将所述测试工件置于温度恒定的环境下通电，通电时依次向各所述测试工件施加多个电流值不相同的加热电流，对应获取施加各电流时所述测试工件的电功率PE、光功率PL及所述LED功能主体的温度Tj，将获得的数据以PE-PL为自变量、以Tj为因变量进行线性拟合，拟合所得直线的斜率为所述总热阻Rth； 以所述测试工件中所述芯片附着层的厚度d为自变量、以各所述测试工件的总热阻Rth为因变量进行线性拟合，所得直线的斜率为所述芯片附着层单位厚度上的热阻Rs； 计算所述芯片附着层的导热率其中A为所述截面面积； 获取所述LED功能主体的温度Tj的方式包括如下步骤： 在施加所述加热电流之后，立即施加检测电流并测量此时所述LED功能主体的正向电压，通过所述正向电压计算所述LED功能主体的温度； 在施加所述检测电流之后的100μs之内对所述LED功能主体的正向电压进行采样以获取所述正向电压。

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