台湾积体电路制造股份有限公司黄惠琳获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利源极/漏极区域及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114628331B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110660224.5，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权源极/漏极区域及其形成方法是由黄惠琳;舒丽丽;杨育佳;李启弘设计研发完成，并于2021-06-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本源极/漏极区域及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及源极漏极区域及其形成方法。一种方法包括：蚀刻第一凹部，该第一凹部与第一虚设栅极堆叠和第一鳍相邻；蚀刻第二凹部，该第二凹部与第二虚设栅极堆叠和第二鳍相邻；以及在第一凹部中外延生长第一外延区域。该方法还包括：在第一虚设栅极堆叠之上、第二虚设栅极堆叠之上、第一凹部中的第一外延区域之上、以及第二凹部中沉积第一含金属掩模；图案化第一含金属掩模以暴露第一虚设栅极堆叠和第一外延区域；在第一凹部中，在第一外延区域之上外延生长第二外延区域；以及在外延生长第二外延区域之后，去除第一含金属掩模的剩余部分。
本发明授权源极/漏极区域及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体器件的方法，包括： 蚀刻第一凹部，该第一凹部与第一虚设栅极堆叠和第一鳍相邻； 蚀刻第二凹部，该第二凹部与第二虚设栅极堆叠和第二鳍相邻； 在所述第一凹部中外延生长第一外延区域； 在所述第一虚设栅极堆叠之上、所述第二虚设栅极堆叠之上、所述第一凹部中的第一外延区域之上、以及所述第二凹部中沉积第一含金属掩模； 图案化所述第一含金属掩模以暴露所述第一虚设栅极堆叠和所述第一外延区域； 在所述第一凹部中，在所述第一外延区域之上外延生长第二外延区域；以及 在外延生长所述第二外延区域之后，去除所述第一含金属掩模的剩余部分。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励