世界先进积体电路股份有限公司夏佳杰获国家专利权
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龙图腾网获悉世界先进积体电路股份有限公司申请的专利微机电装置及其形成方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114604817B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011413995.6,技术领域涉及:B81B7/02;该发明授权微机电装置及其形成方法是由夏佳杰设计研发完成,并于2020-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本微机电装置及其形成方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种微机电装置及其形成方法,微机电装置包括复合基底、空腔、压电堆叠结构以及质量块。复合基底包括由下而上依序堆叠的第一半导体层、黏合层以及第二半导体层。空腔设置于复合基底内,空腔从第二半导体层延伸到第一半导体层且不贯穿第一半导体层。压电堆叠结构设置于复合基底上,压电堆叠结构包含位于空腔上方的一悬挂区域。质量块设置在空腔内并连接压电堆叠结构。
本发明授权微机电装置及其形成方法在权利要求书中公布了:1.一种微机电装置,其特征在于,包含: 一复合基底,包含由下而上依序堆叠的一第一半导体层、一黏合层以及一第二半导体层; 一空腔,设置在所述第一半导体层内,所述空腔自所述第二半导体层延伸于所述第一半导体层且不贯穿所述第一半导体层; 一压电堆叠结构,设置在所述复合基底上,所述压电堆叠结构包含位于所述空腔上的一悬挂区域,所述悬挂区域具有一自由端;以及 一质量块,设置在所述空腔内并连接所述压电堆叠结构,且设置在所述悬挂区域邻近所述自由端的一半部分上,侧向分离于所述悬挂区域的所述自由端。
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