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龙图腾网获悉安徽传矽微电子有限公司申请的专利一种单端转差分跨阻放大器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113904641B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111204884.9，技术领域涉及：H03F3/45；该发明授权一种单端转差分跨阻放大器是由谢金峰;林福江设计研发完成，并于2021-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单端转差分跨阻放大器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种单端转差分跨阻放大器，其包括主跨阻放大器，冗余跨阻放大器，电容C1、C2。主跨阻放大器包括场效应晶体管M1、M3，反馈电阻Rf1，负载电阻RL1，交流耦合电容Cc。M1漏极接地，M3栅极接入偏置电压VB，M3漏极连接M1源极。Rf1一端连接M1基极，另一端连接M3源极。RL1一端连接M3源极，另一端接入外接电压。冗余跨阻放大器包括M2、M4，反馈电阻Rf2，负载电阻RL2。Cc一端连接M3漏极，另一端连接M2栅极。C1、C2构成电容耦合的交流耦合对，C1一端连接M2源极，另一端连接M4基极，C2一端连接M4源极，另一端连接M3基极。本发明与现有技术相比，可以实现更好的输出对称性，以及鲁棒性。当M3、M4的小信号跨导相同时，输出即可实现对称。M3、M4的小信号跨导在电路工作中更容易满足，鲁棒性更好。

本发明授权一种单端转差分跨阻放大器在权利要求书中公布了：1.一种单端转差分跨阻放大器，其包括主跨阻放大器和冗余跨阻放大器； 所述主跨阻放大器包括： 场效应晶体管M1，场效应晶体管M1的栅极作为所述单端转差分跨阻放大器的输入电流Iin+，场效应晶体管M1的漏极电性接地； 场效应晶体管M3，场效应晶体管M3的栅极接入偏置电压VB，场效应晶体管M3的漏极电性连接场效应晶体管M1的源极，场效应晶体管M3的源极作为所述单端转差分跨阻放大器的输出电压Vout+； 反馈电阻Rf1，反馈电阻Rf1的一端电性连接场效应晶体管M1的基极，反馈电阻Rf1的另一端电性连接场效应晶体管M3的源极； 负载电阻RL1，负载电阻RL1的一端电性连接场效应晶体管M3的源极，负载电阻RL1的另一端接入外接电压VDD；以及 交流耦合电容Cc，交流耦合电容Cc的一端连接场效应晶体管M3的漏极； 所述冗余跨阻放大器包括： 场效应晶体管M2，场效应晶体管M2的栅极电性连接交流耦合电容Cc的另一端，场效应晶体管M2的漏极电性接地； 场效应晶体管M4，场效应晶体管M4的栅极接入偏置电压VB，场效应晶体管M4的漏极电性连接场效应晶体管M2的源极，场效应晶体管M4的源极作为所述单端转差分跨阻放大器的输出电压Vout-； 反馈电阻Rf2，反馈电阻Rf2的一端电性连接场效应晶体管M2的基极，反馈电阻Rf2的另一端电性连接场效应晶体管M4的源极；以及 负载电阻RL2，负载电阻RL2的一端电性连接场效应晶体管M4的源极，负载电阻RL2的另一端接入外接电压VDD； 其特征在于：所述单端转差分跨阻放大器还包括： 电容C1、C2，电容C1、C2构成电容耦合的交流耦合对，电容C1的一端电性连接场效应晶体管M3的源极，电容C1的另一端电性连接场效应晶体管M4的基极，电容C2的一端电性连接场效应晶体管M4的源极，电容C2的另一端电性连接场效应晶体管M3的基极。

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