三星电子株式会社孙龙勋获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112510049B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010902350.2，技术领域涉及：H10B41/00；该发明授权半导体存储器件是由孙龙勋;金哉勋;朴光浩;宋炫知;李耕希;郑承宰设计研发完成，并于2020-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器件在说明书摘要公布了：公开了一种半导体存储器件。该器件包括：在衬底上的外围电路结构；在外围电路结构上的半导体层；在半导体层上的电极结构，该电极结构包括堆叠在半导体层上的电极；垂直沟道结构，其穿透电极结构并且连接到半导体层；分离结构，其穿透电极结构，在第一方向上延伸并且将电极结构的电极水平地分成一对电极；覆盖电极结构的层间绝缘层；以及穿透层间绝缘层并且电连接到外围电路结构的贯穿接触。
本发明授权半导体存储器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器件，包括： 在衬底上的外围电路结构； 在所述外围电路结构上的半导体层； 在所述半导体层上的电极结构，所述电极结构包括堆叠在所述半导体层上的电极； 垂直沟道结构，其穿透所述电极结构并且连接到所述半导体层； 穿透所述电极结构的分离结构，所述分离结构在第一方向上延伸并且将所述电极结构的所述电极中的至少一个电极水平地分成一对电极； 覆盖所述电极结构的层间绝缘层；以及 穿透所述层间绝缘层并且电连接到所述外围电路结构的贯穿接触， 其中，所述分离结构的顶表面、所述垂直沟道结构的顶表面、所述贯穿接触的顶表面和所述层间绝缘层的顶表面彼此共面，以及 其中，当在平面图中观察时，所述分离结构的侧壁包括突出部分和凹陷部分，所述突出部分在远离所述分离结构的中心线的方向上突出，所述凹陷部分朝向所述中心线凹入，以及所述分离结构的所述侧壁具有波状和凹凸形状中的至少一种。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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