意法半导体股份有限公司R·安扎隆获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利用于生长半导体晶片的装置和相关联的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447581B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010915041.9，技术领域涉及：H01L21/687；该发明授权用于生长半导体晶片的装置和相关联的制造方法是由R·安扎隆;N·法拉泽托;F·拉维亚设计研发完成，并于2020-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于生长半导体晶片的装置和相关联的制造方法在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及用于生长半导体晶片的装置和相关联的制造方法。一种用于生长特别是碳化硅的半导体晶片的装置，其中腔室容纳收集容器、以及被布置在容器之上的支撑件或衬托器。支撑件由围绕开口的框架形成，该开口接纳多个臂和座。框架具有彼此相对的第一表面和第二表面，其中框架的第一表面面对支撑件。臂由从框架延伸到开口中的悬臂杆形成，臂具有比框架小的最大高度，并且在顶部具有搁置边缘。臂的搁置边缘限定了搁置表面，该搁置表面在比框架的第二表面低的水平处。座具有由搁置表面形成的底部。
本发明授权用于生长半导体晶片的装置和相关联的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种装置，包括： 腔室； 收集容器，在所述腔室中；以及 支撑件，在所述腔室中并且在所述容器之上， 所述支撑件包括框架、由所述框架围绕的开口、多个臂、以及在所述开口内的座， 所述框架具有彼此相对的第一表面和第二表面， 所述框架的所述第一表面面对所述收集容器， 所述臂是从所述框架延伸到所述开口中的悬臂杆， 所述臂中的每个臂具有比所述框架的最大高度小的最大高度，并且所述臂中的每个臂具有搁置边缘， 所述臂的所述搁置边缘限定搁置表面，所述搁置表面在比所述框架的所述第二表面低的水平处， 所述座具有由所述搁置表面形成的底部。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体股份有限公司，其通讯地址为：意大利阿格拉布里安扎；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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