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龙图腾网获悉湖南虹安微电子有限责任公司申请的专利平面型MOSFET器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223472493U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422896772.X，技术领域涉及：H10D30/60；该实用新型平面型MOSFET器件是由白羽设计研发完成，并于2024-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本平面型MOSFET器件在说明书摘要公布了：本实用新型实施例提供一种平面型MOSFET器件，兼具抗击穿、低电阻、降低栅漏电容等优点。其包括：衬底；外延层，设置在衬底层上；外延层包括：漂移层、第一子区、阱区、和源区。阱区内具有位于源区和第一子区之间的沟道区；栅氧化物层，设置在外延层远离衬底的顶表面上并分别与第一子区、沟道区和源区连接；栅电极，设置在栅氧化物层远离外延层的一侧，栅电极包括沿第一方向间隔设置的两个主体部；两个主体部在外延层上的正投影分别位于沟道区上；源极金属，设置在栅电极远离外延层的一侧，且分别与阱区和源区连接；隔离氧化层，设置于栅电极和源极金属之间；隔离氧化层内开设有接触孔；第一金属层，嵌设于隔离氧化层内，且穿过接触孔与栅电极电连接。

本实用新型平面型MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种平面型MOSFET器件，其特征在于，包括： 衬底10； 外延层20，设置在所述衬底10层上；所述外延层20包括：漂移层21；第一子区22，设置在所述漂移层21远离所述衬底10的一侧；阱区23，设置在所述第一子区22沿第一方向的相对两侧；源区24，所述源区24嵌设于所述阱区23且所述源区24远离所述衬底10的上表面暴露于所述阱区23外；所述阱区23内具有位于所述源区24和所述第一子区22之间的沟道区231； 栅氧化物层30，设置在所述外延层20远离所述衬底10的顶表面上并分别与所述第一子区22、所述沟道区231和所述源区24连接； 栅电极40，设置在所述栅氧化物层30远离所述外延层20的一侧，所述栅电极40包括沿所述第一方向间隔设置的两个主体部41；所述两个主体部41在所述外延层20上的正投影分别位于所述沟道区231上； 源极金属70，设置在所述栅电极40远离所述外延层20的一侧，且分别与所述阱区23和所述源区24连接； 隔离氧化层50，设置于所述栅电极40和所述源极金属70之间；所述隔离氧化层50内开设有接触孔511； 第一金属层60，嵌设于所述隔离氧化层50内，且穿过所述接触孔511与所述栅电极40电连接。

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