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龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种基于BJT的占空比调制的单电容温度传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119573905B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411673724.2，技术领域涉及：G01K7/01；该发明授权一种基于BJT的占空比调制的单电容温度传感器是由闫锋;王静怡;王一鸣;孙琰雯;刘淇;王志诚;杨婷;王凯;吴天泽设计研发完成，并于2024-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于BJT的占空比调制的单电容温度传感器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于BJT的占空比调制的单电容温度传感器，属于集成电路领域。该温度传感器电路在一个周期中，分别对电容充电一个正温度系数电压和负温度系数电压，计算两段充电时间，用充电到正温度系数电压的时间除以两段时间相加的和，该比值与温度成正比关系，即把温度转换为了占空比输出，相比于采用高精度ADC量化的方法，能够大程度的降低功耗和电路复杂度。另外，该电路做了单电容设计，即两段充电过程均对同一个电容进行，只需设计两段充电电流合适的比例，即可使得两段时间之和即周期时间与温度无关，由于电容通常占据整个芯片的大部分面积，因此相比于双电容的设计，大大节省了面积，并且可以避免电容失配带来的误差。

本发明授权一种基于BJT的占空比调制的单电容温度传感器在权利要求书中公布了：1.一种基于BJT的占空比调制的单电容温度传感器，其特征在于，所述温度传感器包含第一双极结型晶体管Q1、第二双极结型晶体管Q2、充电电容、第一直流电流源Ib1、第二直流电流源Ib2、第三直流电流源I1、第四直流电流源I2、控制开关和比较器模块； 所述第一双极结型晶体管Q1和第二双极结型晶体管Q2用作感温器件，所述第一直流电流源Ib1和第二直流电流源Ib2用于提供偏置电流，第三直流电流源I1和第四直流电流源I2用于提供充电电流，所述控制开关用于选择两段充电模式以及进行复位操作，所述比较器模块用于检测电容电压的大小，通过控制比较器模块的输出状态控制电路状态获取温度信息； 所述比较器正输入端连接电容上极板，还通过第一开关S1和第二开关S2分别连接第三直流电流源I1和第四直流电流源I2，比较器负输入端连接第一双极结型晶体管Q1的发射极，电压为VBE1；初始时，电容上存储电压为0；在第一个阶段，电容上下极板电压复位为0，然后电流源对电容进行充电，当上极板电压到达VBE1时比较器翻转，由比较器输出电压为触发，进入第二个阶段，电容上下极板电压复位为第二双极结型晶体管Q2的基极-发射极电压VBE2，当上极板电压到达VBE1时比较器翻转，完成一个周期，然后又回到第一阶段循环这一过程； 所述控制开关包括第一开关S1、第二开关S2、第三开关S3、第四开关S2N和复位开关S_rst；所述第一开关S1和第二开关S2控制两个充电电流源的接入，一端连第三直流电流源I1和第四直流电流源I2，另一端连电容上极板；所述第三开关S3为单刀双掷开关，用于控制电容下极板电压以及复位后上极板的电压，一端连电容下极板，另一端分别可以选择连接到地或者连到第二双极结型晶体管Q2的发射极；所述第四开关S2N一端连第二直流电流源Ib2，另一端第二连双极结型晶体管Q2的发射极，与第二开关S2是反相关系；所述复位开关S_rst在复位阶段时闭合，两端分别连接电容的上下极板。

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