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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119497362B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311039124.6，技术领域涉及：H10B10/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由汪刘建设计研发完成，并于2023-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，结构包括：第一栅极结构、第一沟道层以及第一源漏极构成下拉晶体管，第一栅极结构、第二沟道层以及第二源漏极构成上拉晶体管；栅极插塞，位于第一栅极结构的顶部，且栅极插塞与第一栅极结构电连接；介电层，位于基底顶部，且覆盖下拉晶体管、上拉晶体管以及栅极插塞；金属层，位于介电层的顶部；凹槽，贯穿金属层、介电层以及部分厚度的栅极插塞；第三沟道层，覆盖凹槽的底部和侧壁；第二栅极结构，位于凹槽的剩余空间中，环绕第二栅极结构的栅极插塞用于作为第三源漏极，环绕第二栅极结构的金属层用于作为第四源漏极，第二栅极结构、第三沟道层、第三源漏极和第四源漏极构成传输门晶体管。提高半导体结构的集成度。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底； 沟道堆叠结构，位于所述基底上，且所述沟道堆叠结构包括第一沟道层以及间隔设置于所述第一沟道层上的第二沟道层； 第一栅极结构，横跨所述沟道堆叠结构，且环绕覆盖所述第一沟道层和第二沟道层； 第一源漏极，位于所述第一栅极结构两侧的第一沟道层中； 第二源漏极，位于所述第一栅极结构两侧的第二沟道层中，且所述第一栅极结构、第一沟道层以及第一源漏极构成下拉晶体管，所述第一栅极结构、第二沟道层以及第二源漏极构成上拉晶体管； 栅极插塞，位于所述第一栅极结构的顶部，且所述栅极插塞与所述第一栅极结构电连接； 介电层，位于所述基底顶部，且覆盖所述下拉晶体管、上拉晶体管以及所述栅极插塞； 金属层，位于所述介电层的顶部； 凹槽，贯穿所述金属层、介电层以及部分厚度的所述栅极插塞； 第三沟道层，覆盖所述凹槽的底部和侧壁； 第二栅极结构，位于所述凹槽的剩余空间中，且环绕所述第二栅极结构的栅极插塞用于作为第三源漏极，环绕所述第二栅极结构的金属层用于作为第四源漏极，所述第二栅极结构、第三沟道层、第三源漏极和第四源漏极构成传输门晶体管。

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