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龙图腾网获悉东北石油大学申请的专利双金属VTiO4/VTiCTx肖特基异质结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117342611B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311203878.0，技术领域涉及：C01G31/00；该发明授权双金属VTiO4/VTiCTx肖特基异质结构的制备方法是由肖钧鹏;王升;韩建;刘超设计研发完成，并于2023-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本双金属VTiO4/VTiCTx肖特基异质结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于锂离子存储材料技术领域，具体涉及一种双金属VTiO4VTiCTx肖特基异质结构的制备方法，1、在浓HCl溶液中加入LiF，搅拌后得到反应剂，将微米级别的VTiAlC颗粒加入到反应剂中制得前驱体VTiCTx；2、对步上述反应物清洗后进行超声，并使用低速离心收集其上层的VTiCTx纳米片悬浊液；3、对VTiCTx悬浊液浓缩后在反应釜中得到沉淀物，对沉淀物真空过滤、清洗和干燥，将干燥后的产物研磨成粉，并退火处理，并通氢气和氩气。制得双金属VTiO4VTiCTx肖特基异质结构。作为锂离子存储电极材料，其具有质量比电容高、倍率性能优异和循环寿命长等优点。

本发明授权双金属VTiO4/VTiCTx肖特基异质结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种双金属VTiO4VTiCTx肖特基异质结构的制备方法，其特征在于：制备方法包括以下步骤： 步骤一、前驱体VTiCTx的制备 在浓HCl溶液中加入LiF，搅拌后得到反应剂，将微米级别的VTiAlC颗粒加入到反应剂中，搅拌溶解后将溶液转移到聚四氟乙烯水热反应釜中，在30oC~55oC的温度下搅拌反应20h~60h后得到反应物； 步骤二、前驱体VTiCTx纳米片悬浊液的制备 对步骤一得到的反应物进行清洗，依次使用稀HCl溶液、乙醇溶液和去离子水采用高速离心清洗若干次，对清洗后的沉淀物进行超声，并使用低速离心收集其上层悬浊液，该悬浊液为VTiCTx纳米片悬浊液； 步骤三、双金属VTiO4VTiCTx肖特基异质结构的制备 对VTiCTx悬浊液通过高速离心进行浓缩，将浓缩后的VTiCTx悬浊液转移到聚四氟乙烯水热反应釜中，在150oC~250oC的温度下保持0.5h~2.5h后得到沉淀物，对沉淀物真空过滤并清洗，过滤清洗后产物真空干燥10h~30h，将干燥后的产物研磨成粉，并置于炉子中退火处理0.5h~2.5h，并通氢气和氩气，其比例为1：9，制得双金属VTiO4VTiCTx肖特基异质结构。

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