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龙图腾网获悉安徽光智科技有限公司申请的专利MEMS产品中钛金属连接层刻蚀去胶工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116854029B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311064172.0，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权MEMS产品中钛金属连接层刻蚀去胶工艺是由朱景春;李海涛;王玮;高玉波;周思豪;陈国雪;姚祥设计研发完成，并于2023-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本MEMS产品中钛金属连接层刻蚀去胶工艺在说明书摘要公布了：一种MEMS产品中钛金属连接层刻蚀去胶工艺包括步骤：步骤一，提供待刻蚀的复合膜层，复合膜层包括从硅衬底、氮化硅膜层、钛薄膜以及铝膜层；步骤二，图形化设置光刻胶铝膜层上，以使光刻胶覆盖部分的顶层的铝膜层且使光刻胶露出与光刻胶覆盖部分的顶层的铝膜层相邻两侧的部分的顶层的铝膜层；步骤三，将复合膜层置于湿法刻蚀的第一腔室中，在第一腔室中从露出的顶层的铝膜层的部位刻蚀；步骤四，采用湿法去胶；步骤五，将步骤四完成的复合膜层图形化设置光刻胶，形成沟槽；步骤六，将步骤五完成的复合膜层置于第二腔室中，沿着沟槽进行钛薄膜刻蚀；步骤七，光刻胶去除设备中去胶；步骤八，在钛薄膜以及铝膜层上长膜形成氮化硅覆盖层。

本发明授权MEMS产品中钛金属连接层刻蚀去胶工艺在权利要求书中公布了：1.一种MEMS产品中钛金属连接层刻蚀去胶工艺，其特征在于，包括步骤： 步骤一，提供待刻蚀的复合膜层，复合膜层包括从下往上依次设置的硅衬底、底层的氮化硅膜层、中间的钛薄膜以及顶层的铝膜层； 步骤二，图形化设置光刻胶在顶层的铝膜层上，以使光刻胶覆盖部分的顶层的铝膜层且使光刻胶露出与光刻胶覆盖部分的顶层的铝膜层相邻两侧的部分的顶层的铝膜层； 步骤三，将步骤二的完成光刻胶设置的复合膜层置于湿法刻蚀的第一腔室中，在第一腔室中从露出的顶层的铝膜层的部位刻蚀，刻蚀时间的设定为刻蚀到使光刻胶露出的顶层的铝膜层的部位被刻蚀完并使对应的钛薄膜的表面露出； 步骤四，将步骤三的完成的使对应的钛薄膜的表面露出的复合膜层置于光刻胶去除设备中采用湿法去胶； 步骤五，将步骤四完成的复合膜层图形化设置光刻胶，以使光刻胶包覆置于钛薄膜层上的铝膜层、以及使光刻胶隔着露出的部分钛薄膜覆盖铝膜层两侧的钛薄膜，露出的部分钛膜层对应光刻胶形成的沟槽； 步骤六，将步骤五完成的复合膜层置于第二腔室中，在第二腔室中沿着沟槽进行钛薄膜刻蚀，刻蚀时间的设定为刻蚀到使沟槽露出的钛薄膜的部分被刻蚀完并使底层的氮化硅膜层露出； 步骤七，将步骤六完成的使底层的氮化硅膜层露出的复合膜层置于光刻胶去除设备中去胶； 步骤八，在步骤七完成的复合膜层的钛薄膜以及铝膜层上长膜形成氮化硅覆盖层。

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