安徽格恩半导体有限公司陈婉君获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种具有费米面拓扑层的半导体激光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116646822B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310782151.6，技术领域涉及：H01S5/343；该发明授权一种具有费米面拓扑层的半导体激光元件是由陈婉君;王星河;胡志勇;黄军;张会康;蔡鑫;刘紫涵;请求不公布姓名设计研发完成，并于2023-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有费米面拓扑层的半导体激光元件在说明书摘要公布了：本发明提出一种具有费米面拓扑层的半导体激光元件，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层，上限制层与电子阻挡层之间和或下限制层与下波导层之间设置有费米面拓扑层，费米面拓扑层为二维拓扑莫尔超晶格结构。本发明在上限制层与电子阻挡层之间和或下限制层与下波导层之间设置费米面拓扑层，该费米面拓扑层可通过垂直向下的能带移动改变费米面拓扑结构，降低电子自旋的无序性和不稳定性，提升电子和空穴的注入效率，以及激光元件有源层的辐射复合效率，同时，增强双极性电导以提升限制因子，改善有源层载流子浓度饱和问题，从而降低激光元件的激发阈值，提升激光元件的光功率和斜率效率。
本发明授权一种具有费米面拓扑层的半导体激光元件在权利要求书中公布了：1.一种具有费米面拓扑层的半导体激光元件，其特征在于，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层，所述上限制层与电子阻挡层之间和或下限制层与下波导层之间设置有费米面拓扑层，所述费米面拓扑层为二维拓扑莫尔超晶格结构。
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