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龙图腾网获悉南京信息工程大学申请的专利少模光纤和硅基多模芯片耦合结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116520499B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310562365.2，技术领域涉及：G02B6/30；该发明授权少模光纤和硅基多模芯片耦合结构及制备方法是由蒋卫锋;张淋设计研发完成，并于2023-05-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本少模光纤和硅基多模芯片耦合结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开少模光纤和硅基多模芯片耦合结构及制备方法，属于光学元件、系统或仪器技术领域。耦合结构包括硅基多模芯片、少模光纤、少模光子引线键合波导、光纤底座；硅基多模芯片包含硅衬底、埋氧层、硅基波导、上包层、亚波长光栅倒置级联锥形波导、对准标记；少模光纤包括纤芯和包层；少模光子引线键合波导包含亚波长光栅倒置级联锥形波导上方的方形波导、过渡波导、弯曲波导；光纤底座是一个用于固定芯片以及光纤位置的阶梯型底座。硅基多模芯片与少模光纤通过上层少模光子引线键合波导和下层亚波长光栅倒置级联锥形波导组合的少模耦合结构连接，增强模式杂化效应，实现硅基矩形矢量模与少模光纤圆形线偏振模匹配。

本发明授权少模光纤和硅基多模芯片耦合结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.少模光纤和硅基多模芯片耦合结构，其特征在于，包括： 上层少模光子引线键合波导，用于连接硅基多模芯片和少模光纤，将硅基矩形波导矢量转换为圆形线偏振矢量模，所述上层少模光子引线键合波导包括：方形波导、过渡波导、弯曲波导，所述方形波导包覆在硅基波导和下层亚波长光栅倒置级联锥形波导上方，所述过渡波导为由方形渐变至圆形的棱台状过渡结构，所述弯曲波导为由细变粗的圆形结构，且方形波导的一端覆盖在硅基波导出入光端上方，方形波导的另一端连接过渡波导的方形端口，过渡波导的圆形端口连接弯曲波导的小口径圆形端口，弯曲波导的大口径圆形端口连接少模光纤；及， 制备于硅基多模芯片埋氧层上的下层亚波长光栅倒置级联锥形波导，所述下层亚波长光栅倒置级联锥形波导与所述上层少模光子引线键合波导少模耦合，下层亚波长光栅倒置级联锥形波导为至少两个宽度逐渐减小的锥形波导级联而成的亚波长光栅，所述硅基多模芯片的硅基波导通过与其出入光端连接的锥形结构嵌入下层亚波长光栅倒置级联锥形波导中。

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