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北京晨晶电子有限公司曹文静获国家专利权

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龙图腾网获悉北京晨晶电子有限公司申请的专利电容式真空规的膜片及其电容式真空规获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116296050B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111499248.3,技术领域涉及:G01L21/00;该发明授权电容式真空规的膜片及其电容式真空规是由曹文静;林立男;姜浩延;张琳琳;陶硕;廖兴才设计研发完成,并于2021-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

电容式真空规的膜片及其电容式真空规在说明书摘要公布了:本发明提供一种电容式真空规的膜片及其电容式真空规,包括膜片层、抗刻蚀层和导电层,膜片层用于将真空规的内部空间分为真空空间和被测空间,所述膜片层的材质为石英材质;抗刻蚀层设置在所述膜片层远离固定电极的一端;导电层设置在所述膜片层靠近所述固定电极的一端,用于与真空规的电极柱电连接。通过石英材质制作的膜片层作为隔膜,并在膜片层位于被测空间的一端设置抗刻蚀层,有效地提高了真空规的抗刻蚀性或防腐蚀性,并提高了膜片的应力次数,从而使真空规具有精度高、抗刻蚀性、寿命长、可重复使用、稳定性好及其实际应用广的特点,有效降低了真空规的成本。

本发明授权电容式真空规的膜片及其电容式真空规在权利要求书中公布了:1.一种电容式真空规的膜片,其特征在于,包括: 膜片层,用于将真空规的内部空间分为真空空间和被测空间,所述膜片层的材质为石英材质; 抗刻蚀层,设置在所述膜片层远离固定电极的一端; 导电层,设置在所述膜片层靠近所述固定电极的一端,用于与真空规的电极柱电连接; 所述抗刻蚀层的质量比所述导电层的质量小5%,且所述抗刻蚀层的厚度小于所述膜片层的厚度; 所述膜片层、所述抗刻蚀层和所述导电层的横截面形状和尺寸相一致; 所述膜片层的表面粗糙度小于或等于10μm,所述膜片层的弓高小于或等于10mm。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人北京晨晶电子有限公司,其通讯地址为:100020 北京市朝阳区酒仙桥路2号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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