重庆云潼科技有限公司张伟获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆云潼科技有限公司申请的专利一种高抗短路能力的载流子存储沟槽栅IGBT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116110962B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310344157.5，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种高抗短路能力的载流子存储沟槽栅IGBT器件是由张伟;廖光朝设计研发完成，并于2023-04-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高抗短路能力的载流子存储沟槽栅IGBT器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高抗短路能力的载流子存储沟槽栅IGBT器件，该IGBT器件被配置包括多个间隔的沟槽1，相邻沟槽1之间形成用于提高IGBT短路能力的P+区2。本发明提供的IGBT器件通过在沟槽之间周期性间隔形成P+区域，使得P+区域的沟槽侧壁，无法形成导电沟道，从而降低了整体的沟道密度，降低了器件的饱和电流，大大提高了器件的抗短路能力。
本发明授权一种高抗短路能力的载流子存储沟槽栅IGBT器件在权利要求书中公布了：1.一种高抗短路能力的载流子存储沟槽栅IGBT器件，其特征在于，该IGBT器件被配置包括多个间隔的沟槽1，相邻沟槽1之间形成用于阻挡空穴CS层5、P-区4、N+区3和用于提高IGBT短路能力的P+区2；CS层5纵向延伸，P-区4形成于N+区3和CS层5之间，P+区2沿CS层5延伸方向周期性间隔形成，底面直接与CS层5接触，顶面与N+区3位于同一水平面； P+区2注入的P型杂质注入剂量比P-区4的P型杂质注入量高1～2个数量级。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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