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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第二十四研究所;重庆中科渝芯电子有限公司申请的专利结型场效应器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115799343B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211223421.1，技术领域涉及：H10D30/83；该发明授权结型场效应器件及其制造方法是由刘建;税国华;何峥嵘;周远杰;刘青;阚玲;朱坤峰;黄磊;王鹏飞;赵明琪设计研发完成，并于2022-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本结型场效应器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种结型场效应器件及其制造方法，在所述结型场效应器件中，沟道区内的栅区结构包括第一层栅区及第二层多晶硅栅区，即栅区结构为双层结构，在第一层栅区与栅区多晶硅的接触区域进行掺杂，形成了第二层多晶硅栅区，相比于第一层栅区与栅区多晶硅的直接接触，对栅区多晶硅及第一层栅区的局部均进行了掺杂，改善了栅极接触区域的导电性能，能有效降低栅极接触区域的电位面积电阻，使得器件的漏电流降低，器件的阈值电压同样也得以降低，有效提升了漏电流与阈值电压等关键参数的一致性；基于结构的规范设计，对应工艺可以采用全多晶自对准工艺，流程简单，且可以与多晶硅集成电路工艺高度兼容。

本发明授权结型场效应器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种结型场效应器件，其特征在于，包括： 衬底； 外延层，具有第一类型掺杂，设置在所述衬底上； 沟道区，具有第二类型掺杂，设置在所述外延层中； 第一层栅区，具有第一类型掺杂，设置在所述沟道区内； 第二层多晶硅栅区，具有第一类型掺杂，设置在所述第一层栅区内且位于所述第一层栅区的顶部； 多晶硅重掺杂源区，具有第二类型掺杂，设置在所述沟道区内，位于所述第一层栅区的一侧； 多晶硅重掺杂漏区，具有第二类型掺杂，设置在所述沟道区内，位于所述第一层栅区的另一侧； 场氧层，设置在所述外延层上，且暴露出所述第二层多晶硅栅区、所述多晶硅重掺杂源区及所述多晶硅重掺杂漏区； 栅区多晶硅，设置在所述外延层上，穿过所述场氧层与所述第二层多晶硅栅区接触； 源区多晶硅，设置在所述外延层上，穿过所述场氧层与所述多晶硅重掺杂源区接触； 漏区多晶硅，设置在所述外延层上，穿过所述场氧层与所述多晶硅重掺杂漏区接触； 介质层，设置在所述场氧层、所述栅区多晶硅、所述源区多晶硅及所述漏区多晶硅上，且暴露出所述栅区多晶硅、所述源区多晶硅及所述漏区多晶硅； 栅极金属，设置在所述介质层上，穿过所述介质层与所述栅区多晶硅接触； 源极金属，设置在所述介质层上，穿过所述介质层与所述源区多晶硅接触； 漏极金属，设置在所述介质层上，穿过所述介质层与所述漏区多晶硅接触。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国电子科技集团公司第二十四研究所;重庆中科渝芯电子有限公司，其通讯地址为：400060 重庆市南岸区南坪花园路14号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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