中国科学院半导体研究所李文昌获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利基于单比较器的低温漂振荡器及低温漂时钟信号生成方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115549589B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211298115.4,技术领域涉及:H03B5/04;该发明授权基于单比较器的低温漂振荡器及低温漂时钟信号生成方法是由李文昌;危林峰设计研发完成,并于2022-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于单比较器的低温漂振荡器及低温漂时钟信号生成方法在说明书摘要公布了:本公开提供了一种基于单比较器的低温漂振荡器及低温漂时钟信号生成方法,其中,该低温漂振荡器包括:单比较器振荡电路模块和充电电流生成模块;单比较器振荡电路模块包括:比较器、第一电容充放电回路和第二电容充放电回路;比较器,用于根据第一电容充放电回路和第二电容充放电回路在第n‑1振荡周期的同一时序中的各自状态,生成用于第n振荡周期的第n低温漂时钟信号;第一电容充放电回路和第二电容充放电回路,用于根据阈值电压、充电电流和第n低温漂时钟信号,通过充放电实现处于充电状态或断开状态;充电电流生成模块用于根据第n低温漂时钟信号,将充电电流传输到第一电容充放电回路和第二电容充放电回路。
本发明授权基于单比较器的低温漂振荡器及低温漂时钟信号生成方法在权利要求书中公布了:1.一种基于单比较器的低温漂振荡器,所述振荡器包括:单比较器振荡电路模块和充电电流生成模块; 所述单比较器振荡电路模块包括:比较器、第一电容充放电回路和第二电容充放电回路,其中,所述第一电容充放电回路和所述第二电容充放电回路的电路结构相同; 所述比较器,用于根据所述第一电容充放电回路和所述第二电容充放电回路在第n-1振荡周期的同一时序中的各自状态,生成用于第n振荡周期的第n低温漂时钟信号,其中n为大于1的整数; 所述第一电容充放电回路,用于根据阈值电压、充电电流和所述第n低温漂时钟信号,通过充放电实现处于充电状态或断开状态,其中,在一个振荡周期中,处于充电状态和断开状态的时长相等; 所述第二电容充放电回路,用于根据所述阈值电压、所述充电电流和所述第n低温漂时钟信号,通过充放电实现处于充电状态或断开状态,其中,在一个振荡周期中,处于充电状态和断开状态的时长相等; 所述充电电流生成模块,用于基于所述阈值电压,生成所述充电电流;以及 根据所述第n低温漂时钟信号,将所述充电电流传输到所述第一电容充放电回路和所述第二电容充放电回路。
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