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龙图腾网获悉西安电子科技大学芜湖研究院申请的专利一种隔离传输电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115425963B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210938782.8，技术领域涉及：H03K19/0175；该发明授权一种隔离传输电路是由吴勇;张艺蒙;吴佳;徐嘉雯;艾科;党琳;李鹏程设计研发完成，并于2022-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种隔离传输电路在说明书摘要公布了：本发明公开了隔离传输电路，包括：电平移位电路，用于将输入信号转换为第一预设电压的传输信号；输入信号的电压为第一电压和第二电压之间的任一电压值，第一预设电压大于第一电压小于第二电压；振荡器，用以产生载波信号；调制电路，与电平移位电路以及振荡器的输出端相连接，用以将传输信号和载波信号进行混频，并将其传输至隔离电路；隔离电路用以将传输信号传输至高压侧；线性稳压器，其输出端与电平移位电路、振荡器以及调制电路相连接，用以将驱动电源的电压降压至第二预设电压，并给电平移位电路、振荡器以及调制电路供电。本发明中的电路，能够工作于宽范围的输入信号电压和驱动电源电压下，适用范围广。

本发明授权一种隔离传输电路在权利要求书中公布了：1.一种隔离传输电路，其特征在于，包括： 电平移位电路，用于将输入信号转换为第一预设电压的传输信号；所述输入信号的电压为第一电压至第二电压之间的任一电压值，所述第一预设电压大于所述第一电压小于所述第二电压； 振荡器，用以产生载波信号； 调制电路，与所述电平移位电路以及所述振荡器的输出端相连接，用以将所述传输信号和所述载波信号进行混频，并将其传输至隔离电路；所述隔离电路用以将所述传输信号传输至高压侧； 线性稳压器，其输出端与所述电平移位电路、所述振荡器以及所述调制电路相连接，用以将驱动电源的电压降压至第二预设电压，并给所述电平移位电路、所述振荡器以及所述调制电路供电； 所述电平移位电路包括： PMOS管MP1和PMOS管MP2，二者的源极分别串联电阻R1和电阻R2后连接所述输入信号，所述PMOS管MP1的栅极和漏极以及所述PMOS管MP2的栅极均连接至一偏置电流源； PMOS管MP3和PMOS管MP4，二者的源极均与所述PMOS管MP2的漏极相连接，二者的栅极均接入周期控制信号； NMOS管MN1和NMOS管MN2，二者的源极均与所述驱动电源的低电平输出端相连接，所述NMOS管MN1的漏极和栅极均与所述PMOS管MP3的漏极相连接，所述NMOS管MN2的栅极与所述NMOS管MN1的栅极相连接； NMOS管MN3和NMOS管MN4，二者的源极均与所述驱动电源的低电平输出端相连接，所述NMOS管MN3的漏极和栅极均与所述PMOS管MP4的漏极相连接，所述NMOS管MN4的栅极与所述NMOS管MN3的栅极相连接； PMOS管MP5和PMOS管MP6，二者的源极均与所述驱动电源的高电平输出端相连接，所述PMOS管MP5的栅极和漏极均与所述NMOS管MN4的漏极相连接，所述PMOS管MP6的栅极与所述PMOS管MP5的栅极相连接，所述PMOS管MP6的漏极与所述NMOS管MN2的漏极相连接； 依次连接的第一施密特整形电路、第一反相器和第二反相器，所述PMOS管MP6的漏极与所述第一施密特整形电路的输入端相连接，所述第二反相器的输出端输出所述传输信号； 所述第一反相器的输出端与所述PMOS管MP4的栅极相连接，所述第一反相器的输出信号即为所述PMOS管MP4的栅极接入的所述周期控制信号；所述第二反相器的输出端与所述PMOS管MP3的栅极相连接，所述第二反相器的输出信号即为所述PMOS管MP3的栅极接入的所述周期控制信号。

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