哈尔滨工业大学李兴冀获国家专利权
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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种单晶硅湿氧热氧化工艺的模拟方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115206447B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210762598.2，技术领域涉及：G16C20/10；该发明授权一种单晶硅湿氧热氧化工艺的模拟方法是由李兴冀;杨剑群;刘中利;李伟奇设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种单晶硅湿氧热氧化工艺的模拟方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种单晶硅湿氧热氧化工艺的模拟方法，涉及硅工艺的模拟技术技术领域。包括如下步骤：构建表面带有真空层的单晶硅的模型，在恒温条件下，间隔预设反应时间，重复在真空层的随机位置将O2分子和H2O分子以该温度所对应的气体速率向单晶硅表面发射，使单晶硅表面发生氧化反应，退火后，得到氧化试样；氧化试样包括氧化层；获取氧化层的结构参数，重复上述步骤，获取并分析氧化层的结构参数，结构参数至少包括Si‑H键、Si‑O‑H键的数目。本发明从微观角度出发，通过模拟湿氧热氧化工艺的方法掌控和分析氧化层中H的存在形式和电子性质，达到经济高效地预测和优化工艺及相应使用器件的目的。
本发明授权一种单晶硅湿氧热氧化工艺的模拟方法在权利要求书中公布了：1.一种单晶硅湿氧热氧化工艺的模拟方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤S1：采用LAMMPS程序软件构建表面带有真空层的单晶硅的模型，在所述模型中，采用反应力场分子动力学方法使所述单晶硅的原子位置和受力状态处于起始状态后，加热所述模型至反应温度使所述模型处于平衡状态； 步骤S2：在恒温条件下，间隔预设反应时间，重复在所述真空层的随机位置将O2分子和H2O分子以该温度所对应的气体速率向所述单晶硅表面发射，使所述单晶硅表面发生氧化反应，反应完成后保持所述模型在恒温条件下至所述模型状态平衡，退火后，得到氧化试样；所述氧化试样包括氧化层，所述O2分子和所述H2O分子的比例为1-2：1-4； 步骤S3：获取所述氧化层的结构参数，重复步骤S1至步骤S2，获取并分析所述氧化层的结构参数，所述结构参数至少包括Si-H键、Si-O-H键的数目。
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