浙江大学陆赟豪获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种二维反铁电磁性隧道结获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084357B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210513490.X，技术领域涉及：H10N50/85；该发明授权一种二维反铁电磁性隧道结是由陆赟豪;李林军;沈金泊;朱焕峰设计研发完成，并于2022-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种二维反铁电磁性隧道结在说明书摘要公布了：本发明提供了一种新型的二维反铁电磁性隧道结：AFMTJ，这种超薄的AFMTJ由两个磁性vdW电极FGT、和一个夹在两个磁性vdW电极FGT之间的单层CIPS组成。本发明还提供一种模拟构建所述二维反铁电磁性隧道结的方法，通过将FGT和CIPS在001方向进行切面，获得单层结构的FGT和CIPS，将单层FGT和单层CIPS进行扩胞堆叠形成二维反铁电磁性隧道结。该隧道结可以通过改变CIPS的极化，进而调控隧穿装置的性能，在非易失性存储方面具有很大的应用潜力。
本发明授权一种二维反铁电磁性隧道结在权利要求书中公布了：1.一种二维反铁电磁性隧道结的模型构建，其特征在于，所述二维反铁电磁性隧道结包括两个磁性vdW电极FGT、以及夹在所述两个磁性vdW电极Fe3GeTe2之间的单层CIPS；其中所述磁性vdW电极FGT采用单层FGT； 所述模型构建包括如下步骤： 1选取薄层vdWFGT即单层FGT、以及单层CIPS作为构建所述二维反铁电磁性隧道结的二维铁磁及铁电材料； 2获取FGT、CIPS的晶格常数并优化后进行计算； 3获取所述单层FGT与所述单层CIPS； 4将步骤3获得的所述单层FGT和所述单层CIPS进行扩胞堆叠形成所述二维反铁电磁性隧道结，使两者晶格失配小于3％； 5测算所述二维反铁电磁性隧道结的性能参数RA、TMR以及TER。
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