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龙图腾网获悉广东先导微电子科技有限公司申请的专利一种晶片清洗工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115050629B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210763147.0，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种晶片清洗工艺是由郑金龙;杨小丽;周铁军;马金峰设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶片清洗工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及晶片清洗技术领域，公开了一种晶片清洗工艺，其包括第一次清洗、第二次清洗、第三次清洗以及烘干处理，工艺适用性强，能改善晶片的表面洁净度，降低晶片制绒后不良比率和提升电池光电转换效率；同时，本发明验证出更加适合清洗晶片的清洗液配比方式，清洗液成本合理，清洗产能较高。

本发明授权一种晶片清洗工艺在权利要求书中公布了：1.一种晶片清洗工艺，其特征在于，采用清洗台对晶片进行清洗，所述清洗台包括：若干个清洗槽、烘干槽、烘干装置、转运装置、晶片固定装置、连接组件以及控制器，所述烘干槽具有顶部开口的烘干腔，且所述烘干槽内设有用于烘干所述晶片的所述烘干装置；所述控制器与所述转运装置电连接，所述晶片固定装置通过所述连接组件转动连接于所述转运装置上，所述转运装置用以将固定有所述晶片的所述晶片固定装置转运至对应的所述清洗槽和所述烘干槽；所述晶片固定装置包括卡塞机构和用于固定晶片的卡塞盒，所述卡塞机构上绕其轴线开设有若干用于插接所述卡塞盒的插接槽； 所述晶片清洗工艺包括以下步骤： 将若干待清洗晶片插入所述卡塞盒中，再将插满所述晶片的所述卡塞盒插入所述卡塞机构中，然后所述转运装置将固定有所述晶片的所述晶片固定装置转运至对应的所述清洗槽； 将所述晶片浸入装有第一清洗液的对应的所述清洗槽中并使用所述第一清洗液对所述晶片进行第一次清洗，且所述晶片处于旋转状态，以去除所述晶片表面的有机物，其中，所述第一清洗液为异丙醇和酒精的混合溶液，所述第一清洗液为体积比异丙醇：酒精＝1：1的混合溶液，所述异丙醇的浓度为大于等于99％，所述酒精的浓度大于等于99％； 将所述晶片浸入装有第二清洗液的对应的所述清洗槽中并使用所述第二清洗液对所述晶片进行第二次清洗，且所述晶片处于旋转状态，其中，所述第二清洗液为氢氧化铵、过氧化氢和水的混合溶液，所述第一次清洗和所述第二次清洗之间，需要对所述晶片进行第一次纯水清洗，所述第一次纯水清洗时，所述晶片处于旋转状态； 将所述晶片浸入装有第三清洗液的对应的所述清洗槽中并使用所述第三清洗液对所述晶片进行第三次清洗，且所述晶片处于旋转状态，其中，所述第三清洗液为盐酸、过氧化氢和水的混合溶液，所述第三清洗液为体积比盐酸：过氧化氢：水＝5：2-3：18-22的混合溶液，所述盐酸的浓度为36％-38％，所述过氧化氢的浓度为30％-32％；所述第二次清洗和所述第三次清洗之间，需要对所述晶片进行第二次纯水清洗，所述第二次纯水清洗时，所述晶片处于旋转状态； 完成第三次清洗后，需要对所述晶片进行第三次纯水清洗，且所述晶片处于旋转状态； 在完成所述第三次纯水清洗后，使用酒精对所述晶片进行清洗；使用异丙醇对所述晶片进行清洗； 对所述晶片进行烘干处理。

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