美光科技公司J·E·阿尔茨海默获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利存储器装置的错误校正码中毒及相关联方法和系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114464244B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111293477.X，技术领域涉及：G11C29/42；该发明授权存储器装置的错误校正码中毒及相关联方法和系统是由J·E·阿尔茨海默;R·J·鲁尼设计研发完成，并于2021-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器装置的错误校正码中毒及相关联方法和系统在说明书摘要公布了：本申请案涉及存储器装置的错误校正码中毒及相关联方法和系统。描述存储器装置、包含存储器装置的系统以及操作存储器装置的方法，其中存储器装置配置成基于由与所述存储器装置耦合的主机装置提供的指示来使数据中毒。所述指示可包含在执行写入或读取操作的哪一阶段使哪一或多个位中毒反相。在一些实施例中，所述存储器装置可根据所述指示来使一或多个位反相且接着校正与使所述一或多个位反相相关联的一或多个错误以验证其裸片上ECC功能性。在一些实施例中，所述存储器装置可为所述主机装置提供包含根据所述指示反相的一或多个位的中毒数据，使得所述主机装置可使用所述中毒数据测试系统级ECC功能性。
本发明授权存储器装置的错误校正码中毒及相关联方法和系统在权利要求书中公布了：1.一种校正方法，其包括： 在存储器装置处从与所述存储器装置耦合的主机装置接收命令，所述命令经引导到第一数据集； 从所述第一数据集产生第二数据集，所述第二数据集包含基于向所述存储器装置指示的一或多个位位置反相的一或多个位； 至少部分地基于所述一或多个反相位来检测所述第二数据集中的一或多个错误； 校正所述第二数据集中的所述一或多个错误以产生包括与所述第一数据集相匹配的位的第三数据集；以及 将从所述第二数据集产生且包括与所述第一数据集相匹配的所述位的所述第三数据集传输到所述主机装置， 其中所述存储器装置的一或多个寄存器在接收到所述命令之前由所述主机装置进行编程以包含所述一或多个位位置。
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