株式会社电装桑野聪获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社电装申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114287053B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980099708.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体装置及其制造方法是由桑野聪;西胁刚;古村雄太设计研发完成，并于2019-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：半导体装置具备半导体衬底、在上述半导体衬底的一个主面中设置的沟槽栅极部、将上述半导体衬底的上述一个主面的上方覆盖的表面电极、以及使上述沟槽栅极部与上述表面电极绝缘的层间绝缘膜，上述半导体衬底具有第1导电型的漂移区域、在上述漂移区域的上方设置的第2导电型的体区域、在上述体区域的至少一部分的下方设置的第1导电型的势垒区域、以及从上述半导体衬底的上述一个主面延伸至上述势垒区域并与上述表面电极肖特基接触的第1导电型的柱区域，上述表面电极是含硅的合金，上述层间绝缘膜的顶面和侧面所成的角是锐角。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于， 具备： 半导体衬底； 沟槽栅极部，设在上述半导体衬底的一个主面中； 表面电极，将上述半导体衬底的上述一个主面的上方覆盖；以及 层间绝缘膜，使上述沟槽栅极部与上述表面电极绝缘，位于比上述半导体衬底的上述一个主面靠上方的位置； 上述半导体衬底具有： 第1导电型的漂移区域； 第2导电型的体区域，设置在上述漂移区域的上方； 第1导电型的势垒区域，设置在上述体区域的至少一部分的下方；以及 第1导电型的柱区域，从上述半导体衬底的上述一个主面延伸至上述势垒区域，与上述表面电极肖特基接触； 上述表面电极是含硅的合金； 上述层间绝缘膜的顶面和侧面所成的角是锐角； 上述层间绝缘膜的上述顶面和上述侧面都与上述表面电极相接， 上述层间绝缘膜的上述顶面和上述侧面所成的角被形成为锐角，以使得沿着上述表面电极的晶界扩散了的上述表面电极中的硅作为硅球而在上述半导体衬底的上述一个主面上的与上述层间绝缘膜的侧面下侧的端部对应的位置选择性地析出。
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