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龙图腾网获悉杭州富芯半导体有限公司申请的专利一种沟槽的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114220766B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111326597.5，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种沟槽的制备方法是由雷鹏设计研发完成，并于2021-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种沟槽的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种沟槽的制备方法，在半导体衬底上先形成第一电介质层，并刻蚀第一电介质层形成第一沟槽，而后形成填充第一沟槽的牺牲层，之后再形成第二电介质层，并刻蚀第二电介质层形成显露牺牲层的第二沟槽，而后去除牺牲层，形成第一沟槽及第二沟槽相贯通的沟槽，从而本发明通过分步沉积及分步刻蚀电介质层的方法，可制备具有高深宽比的沟槽，且制备工艺简单，操作难度低，且工艺精度高，还可有效减少产品缺陷风险，提升产品良率。

本发明授权一种沟槽的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：提供半导体衬底； S2：于所述半导体衬底上形成第一电介质层； S3：于所述第一电介质层上形成图形化的第一光刻胶层； S4：刻蚀所述第一电介质层，形成贯穿所述第一电介质层的第一沟槽，所述第一沟槽具有第一宽度，所述第一沟槽的深宽比范围为1:1~100:1； S5：去除所述第一光刻胶层显露所述第一电介质层的表面； S6：形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述第一电介质层的表面且填充所述第一沟槽，所述牺牲层包括BARC层； S7：对所述BARC层进行回刻，去除部分所述牺牲层显露所述第一电介质层的表面； S8：形成第二电介质层，所述第二电介质层覆盖所述第一电介质层的表面及所述牺牲层的表面； S9：于所述第二电介质层上形成图形化的第二光刻胶层； S10：刻蚀所述第二电介质层，形成贯穿所述第二电介质层的第二沟槽，所述第二沟槽具有第二宽度，且所述第二沟槽显露所述牺牲层，所述第二沟槽的深宽比范围为1:1~100:1，所述第二沟槽的第二宽度大于所述第一沟槽的第一宽度；所述第一沟槽和所述第二沟槽均为轴对称图形，且所述第一沟槽和所述第二沟槽的对称轴为同一垂线； S11：去除所述第二光刻胶层； S12：再进行M次S6-S10形成牺牲层及电介质层的循环步骤，其中，M为大于等于1的正整数； S13：去除所述牺牲层，形成显露所述半导体衬底的沟槽。

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