广东先导微电子科技有限公司毛伟文获国家专利权
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龙图腾网获悉广东先导微电子科技有限公司申请的专利一种蒸发雾化腐蚀磷化铟晶片的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114156171B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111462322.4，技术领域涉及：H01L21/306；该发明授权一种蒸发雾化腐蚀磷化铟晶片的方法是由毛伟文;郑金龙;吴晓桂;杨江设计研发完成，并于2021-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种蒸发雾化腐蚀磷化铟晶片的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种蒸发雾化腐蚀磷化铟晶片的方法，包括以下步骤：A将待腐蚀的磷化铟晶片放入转盘中，并在腐蚀槽内加入腐蚀液；所述转盘设置在位于腐蚀槽上方的密闭空间内，所述密闭空间与腐蚀槽之间通过阀门通道相连通；所述腐蚀液包括双氧水、硫酸、磷酸和盐酸；B在腐蚀槽内通入热氮气使腐蚀液蒸发雾化，并打开阀门通道使雾化腐蚀液通入上方的密闭空间；C启动转盘使晶片旋转，对转盘上的磷化铟晶片进行腐蚀；D取出腐蚀后的晶片进行清洗，得到腐蚀后的磷化铟晶片。与现有技术中多采用液相腐蚀的方法相比，本工艺与传统的腐蚀工艺相比较，提高了晶片腐蚀掉量，操作上更加简便、自动化程度更高，腐蚀更加均匀。
本发明授权一种蒸发雾化腐蚀磷化铟晶片的方法在权利要求书中公布了：1.一种蒸发雾化腐蚀磷化铟晶片的方法，包括以下步骤： A将待腐蚀的磷化铟晶片放入转盘中，并在腐蚀槽内加入腐蚀液； 所述转盘设置在位于腐蚀槽上方的密闭空间内，所述密闭空间与腐蚀槽之间通过阀门通道相连通； 所述腐蚀液包括双氧水、硫酸、磷酸和盐酸，所述双氧水、硫酸、磷酸和盐酸的体积比为25:1:1:10； B在腐蚀槽内通入热氮气使腐蚀液蒸发雾化，并打开阀门通道使雾化腐蚀液通入上方的密闭空间； 所述热氮气的温度为100～200℃， C启动转盘使晶片旋转，对转盘上的磷化铟晶片进行腐蚀； 所述步骤C中晶片旋转的转速为100～500rmin；所述步骤C中腐蚀的时间为20～40min； D取出腐蚀后的晶片进行清洗，得到腐蚀后的磷化铟晶片。
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