豪威科技股份有限公司孙世宇获国家专利权
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龙图腾网获悉豪威科技股份有限公司申请的专利用于钝化全正面深沟槽隔离结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113097238B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011491865.4，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权用于钝化全正面深沟槽隔离结构的方法是由孙世宇设计研发完成，并于2020-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于钝化全正面深沟槽隔离结构的方法在说明书摘要公布了：本申请案涉及一种用于钝化全正面深沟槽隔离结构的方法。所述方法包含提供从半导体衬底的第一面朝向第二面延伸的沟槽。所述沟槽具有在所述第一面上的开口以及底部及侧面。在所述沟槽的所述底部和所述侧面上沉积掺杂B氧化物的保形层，且所述掺杂B氧化物的保形层的厚度小于所述沟槽宽度的一半从而在所述沟槽中留下纵深凹陷。在所述沟槽中的所述掺杂B氧化物的保形层上沉积第二材料，从而将所述沟槽中的所述凹陷填充到所述第一面。对掺杂B氧化物的所述保形层进行退火，从而将硼从所述掺杂B氧化物的保形层推动到所述半导体衬底，从而形成掺杂B区域作为与具有负的固定电荷的所述掺杂B氧化物的保形层并列的钝化层。
本发明授权用于钝化全正面深沟槽隔离结构的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于形成CMOS图像传感器的深沟槽隔离结构的方法，所述方法包括： 在半导体衬底中形成沟槽，其中所述沟槽从所述半导体衬底的第一面朝向所述半导体衬底的第二面延伸，其中所述沟槽在所述第一面上具有开口且所述沟槽的底部及侧面由所述半导体衬底形成； 至少在所述沟槽的所述底部和所述侧面沉积掺杂硼电介质的保形层，其中所述掺杂硼电介质的保形层的厚度小于所述沟槽宽度的一半以在所述沟槽中留下纵深凹陷； 至少在所述沟槽中的所述掺杂硼电介质的保形层上沉积第二材料，其中所述第二材料将所述沟槽中的所述凹陷填充到至少所述第一面；及 对所述掺杂硼电介质的保形层进行退火以将硼从所述掺杂硼电介质的保形层推动到所述半导体衬底并且形成所述半导体衬底的掺杂硼区域，所述半导体衬底的所述掺杂硼区域对应于紧邻所述掺杂硼电介质的保形层而安置的钝化层，其中所述第二材料包括掺杂多晶硅且对所述掺杂硼电介质的保形层的所述退火进一步电活化所述掺杂多晶硅。
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