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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112928061B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911235501.7，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构及其形成方法是由吴威威;孟晋辉;师兰芳;郑春生;张文广设计研发完成，并于2019-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有介质层，介质层的材料为含氧材料；在介质层中形成开口；利用原子层沉积工艺在开口的侧壁形成阻挡层，阻挡层至少包括覆盖开口的侧壁表面的第一阻挡层，且在形成第一阻挡层的过程中，原子层沉积工艺采用含氢的改性前驱体。本发明在形成第一阻挡层的过程中，利用含氢的改性前驱体，以在开口的侧壁表面形成羟基键，羟基键比较容易吸附原子层沉积工艺所采用的反应前驱体，从而提高了阻挡层的厚度均一性，相应提高了阻挡层的性能，进而提高半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底上形成有介质层，所述介质层的材料为含氧材料； 在所述介质层中形成开口； 利用原子层沉积工艺在所述开口的侧壁形成阻挡层，所述阻挡层至少包括覆盖所述开口的侧壁表面的第一阻挡层，且在形成所述第一阻挡层的过程中，所述原子层沉积工艺采用含氢的改性前驱体与含氧材料的介质层相反应，在所述开口的侧壁表面形成羟基键；所述改性前驱体用于为所述原子层沉积工艺的反应前驱体提供吸附环境；所述改性前驱体包括氢气、氘气或氢的同位素气体； 在形成所述第一阻挡层的步骤中，所述原子层沉积工艺的步骤包括：进行至少一次子层沉积工艺；所述子层沉积工艺包括：将第一反应前驱体通入沉积腔室中，所述第一反应前驱体吸附在所述开口的侧壁表面；所述第一反应前驱体吸附在所述开口的侧壁表面之后，将未吸附在所述开口的侧壁表面的多余的所述第一反应前驱体排出所述沉积腔室；将多余的所述第一反应前驱体排出所述沉积腔室之后，将第二反应前驱体和所述含氢的改性前驱体同时通入所述沉积腔室中，所述改性前驱体适于对所述开口的侧壁表面进行改性，所述第二反应前驱体与所述第一反应前驱体反应；将所述第二反应前驱体与所述第一反应前驱体反应后的副产物排出所述沉积腔室。

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