英特尔公司A·P·阿卢尔获国家专利权
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龙图腾网获悉英特尔公司申请的专利具有光刻形成的凸块间距的嵌入式多管芯互连桥封装及其组装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109962055B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811397052.1，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权具有光刻形成的凸块间距的嵌入式多管芯互连桥封装及其组装方法是由A·P·阿卢尔;S·R·S·博雅帕提;R·A·梅;I·A·萨拉马;R·L·赞克曼设计研发完成，并于2018-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有光刻形成的凸块间距的嵌入式多管芯互连桥封装及其组装方法在说明书摘要公布了：公开了一种嵌入式多管芯互连桥设备和方法，其包括耦合到激光钻孔的互连的光刻形成的互连。嵌入式多管芯互连桥设备中的若干结构在制造和组装期间呈现出特征平面化。
本发明授权具有光刻形成的凸块间距的嵌入式多管芯互连桥封装及其组装方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装设备，包括： 设置于半导体封装衬底的凹陷中的桥管芯，其中，所述半导体封装衬底包括具有激光钻孔的特征的锥形形状的填充过孔，所述填充过孔耦合到具有光刻图案化的特征的正实心圆柱形状的封装柱； 处于所述封装柱和所述桥管芯上方的平面化层合体； 封装接合焊盘，其被图案化在所述平面化层合体上并接触所述封装柱； 桥管芯接合焊盘，其被图案化在所述平面化层合体上并接触具有光刻图案化的特征的正实心圆柱形状的桥管芯柱； 封装到桥迹线，其被图案化在所述平面化层合体上并接触所述桥管芯柱和所述封装柱； 耦合到所述封装柱的平面化电凸块和耦合到所述桥管芯接合焊盘的平面化电凸块； 第一管芯，其耦合到与所述封装柱耦合的所述平面化电凸块；以及 后续管芯，其耦合到与所述桥管芯接合焊盘耦合的所述平面化电凸块。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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