天合光能股份有限公司刘进新获国家专利权
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龙图腾网获悉天合光能股份有限公司申请的专利TOPCon太阳能电池获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223463292U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422630441.1，技术领域涉及：H10F77/30；该实用新型TOPCon太阳能电池是由刘进新;黄剑;陈红;左景武设计研发完成，并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本TOPCon太阳能电池在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种TOPCon太阳能电池，该TOPCon太阳能电池包括硅基底，在硅基底的背面依次层叠设置的第一复合层、背面隧穿层、第二复合层、第一掺杂多晶硅层、第一减反射层以及第一电极；第一电极贯穿第一减反射层与第一掺杂多晶硅层接触；第一复合层和第二复合层用于阻挡掺杂元素向背面隧穿层扩散。本申请实施例的技术方案可以通过在背面隧穿层的两侧设置第一复合层和第二复合层，来减缓硅基底以及第一掺杂多晶硅层中的掺杂元素向背面隧穿层扩散的趋势，减少掺杂元素对背面隧穿层的损伤；由于第二复合层的保护，提升第一掺杂多晶硅层中掺杂元素的浓度，提高载流子的浓度，以此提升电池的效率和良率。
本实用新型TOPCon太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种TOPCon太阳能电池，其特征在于，包括： 硅基底1，在所述硅基底1的背面依次层叠设置的第一复合层、背面隧穿层2、第二复合层、第一掺杂多晶硅层3、第一减反射层4以及第一电极5；所述第一电极5贯穿所述第一减反射层4与所述第一掺杂多晶硅层3接触； 其中，所述第一复合层用于阻挡所述硅基底1中的掺杂元素向所述背面隧穿层2扩散，所述第二复合层用于阻挡所述第一掺杂多晶硅层3中的掺杂元素向所述背面隧穿层2扩散。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天合光能股份有限公司，其通讯地址为：213031 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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