泰科天润半导体科技(北京)有限公司周海获国家专利权
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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种低反向恢复干扰平面栅VDMOS获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223463258U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422837662.6，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型一种低反向恢复干扰平面栅VDMOS是由周海;施广彦;胡臻;何佳设计研发完成，并于2024-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低反向恢复干扰平面栅VDMOS在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种低反向恢复干扰平面栅VDMOS，包括：碳化硅衬底内设有多个缓冲区；漂移层下侧面连接至碳化硅衬底上侧面，漂移层内设有变掺杂区，漂移层上设有凸起部；P型阱区下侧面连接至漂移层上侧面，P型阱区内侧面连接至凸起部外侧面；P型阱区内设有P型源区以及N型源区，P型源区与N型源区连接；P型阱区位于变掺杂区正上方；栅介质层下侧面分别连接凸起部以及P型阱区；栅极金属层连接至栅介质层；漏极金属层分别连接P型阱区、P型源区以及N型源区；漏极金属层连接至碳化硅衬底下侧面以及每个缓冲区，在器件内部构建了缓冲区，可以有效降低器件的反向恢复过冲的上升沿，降低器件的对外干扰。
本实用新型一种低反向恢复干扰平面栅VDMOS在权利要求书中公布了：1.一种低反向恢复干扰平面栅VDMOS，其特征在于：包括： 碳化硅衬底，所述碳化硅衬底内设有多个缓冲区； 漂移层，所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面，所述漂移层内设有变掺杂区，所述漂移层上设有凸起部； P型阱区，所述P型阱区下侧面连接至所述漂移层上侧面，所述P型阱区内侧面连接至所述凸起部外侧面；所述P型阱区内设有P型源区以及N型源区，所述P型源区与N型源区连接；所述P型阱区位于所述变掺杂区正上方； 栅介质层，所述栅介质层下侧面分别连接所述凸起部以及P型阱区； 栅极金属层，所述栅极金属层连接至所述栅介质层； 漏极金属层，所述漏极金属层分别连接所述P型阱区、P型源区以及N型源区； 以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底下侧面以及每个缓冲区。
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