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龙图腾网获悉意法半导体国际公司申请的专利晶体管和电子器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223463255U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422548485.X，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型晶体管和电子器件是由L·阿库里;A·G·格里马尔迪设计研发完成，并于2024-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶体管和电子器件在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及晶体管和电子器件。一种MOSFET晶体管具有半导体主体和至少一个单元，半导体主体包括由前表面界定的第一导电类型的漏极区，至少一个单元包括：平行于第一轴横向地偏移的成对的栅极结构，每个栅极结构包括布置在前表面上的相应的栅极介电区和布置在对应的栅极介电区上的相应的栅极导电区；第二导电类型的主体结构，其包括从前表面开始在漏极区内部延伸并接触栅极介电区的部分的主体区、以及在主体区下方延伸的加强区；以及从前表面开始在主体区内部延伸的第一导电类型的成对的源极区。主体结构包括富集区，富集区在主体区内部、源极区下方延伸，并且相对于成对的源极区在两个方向上平行于第一轴横向地突出。

本实用新型晶体管和电子器件在权利要求书中公布了：1.一种晶体管，其特征在于，包括： 半导体主体，所述半导体主体包括第一导电类型的漏极区，所述漏极区由第一表面界定，所述第一表面沿着第一方向与第二表面相对；以及 多个单元，所述多个单元在所述半导体主体中，所述多个单元包括： 成对的栅极结构，成对的所述栅极结构沿着第二方向横向地偏移，所述第二方向横向于所述第一方向，每个栅极结构包括相应的栅极介电区和相应的栅极导电区，相应的所述栅极介电区被布置在所述第一表面上，相应的所述栅极导电区被布置在对应的所述栅极介电区上； 第二导电类型的主体结构，所述主体结构包括主体区和加强区，所述主体区从所述第一表面开始沿着所述第一方向延伸到所述漏极区中，并且接触所述栅极介电区的部分，所述加强区在所述主体区与所述第二表面之间沿着所述第一方向延伸到所述漏极区中； 所述第一导电类型的成对的源极区，成对的所述源极区从所述第一表面开始在所述主体区内部延伸，每个源极区被耦合到对应的栅极介电区；以及 富集区，所述富集区在所述主体结构中，所述富集区具有大于所述主体区的掺杂水平的掺杂水平，并且在所述源极区与所述加强区之间在所述主体区内部延伸，所述富集区具有沿着所述第二方向的第一尺寸，所述第一尺寸大于所述加强区的沿着所述第二方向的第二尺寸。

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