珠海镓未来科技有限公司高吴昊获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉珠海镓未来科技有限公司申请的专利一种具有条状电极结构的半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223463253U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422479773.4，技术领域涉及：H10D30/47；该实用新型一种具有条状电极结构的半导体器件是由高吴昊;吴毅锋;曾凡明设计研发完成，并于2024-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有条状电极结构的半导体器件在说明书摘要公布了：本实用新型实施例公开了一种具有条状电极结构的半导体器件，应用于电子器件技术领域。半导体器件主要是在外延结构的有源区外围设置隔离区，有源区内设置有条状电极，相邻的源极为不同电位的第一源极和第二源极，并在相邻的第一源极和第二源极之间设置有两个栅极，用于实现源极之间的双向导通和关断，且有源区最上端为第一源极，最下端为第二源极，并在隔离区设置有至少一圈金属环结构和至少一个离子注入区域，任一栅极和任一源极的两端分别延伸到第一圈离子注入区域内，这样通过金属环结构和离子注入区域可以将其内的有源区得到有效地可靠性提升，从而实现了半导体器件的高可靠性。
本实用新型一种具有条状电极结构的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种具有条状电极结构的半导体器件，其特征在于，包括：外延结构，所述外延结构设置于衬底上，所述外延结构包括有源区和有源区外围的隔离区，其中： 所述有源区包括多个源极和多个栅极，所述源极和栅极都为条状电极，所述有源区内最上端的第一源极和最下端的第二源极为不同电位的电极； 所述有源区内两个相邻的第一源极和第二源极之间设置有两个栅极； 所述隔离区将所述有源区内的电极包围，包括至少一圈离子注入区域和一圈金属环结构，所述金属环结构与所述离子注入区域间隔地设置于所述隔离区，且距离所述有源区的电极最近的是离子注入区域；所述金属环结构设置在所述外延结构上，所述离子注入区域设置在所述外延结构内； 任一栅极的两端延伸到第一圈离子注入区域内；或者，任一栅极和任一源极的两端分别都延伸到第一圈离子注入区域内。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人珠海镓未来科技有限公司，其通讯地址为：519000 广东省珠海市横琴新区环岛东路3018号2309办公；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励