北京星航机电装备有限公司史浩伯获国家专利权
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龙图腾网获悉北京星航机电装备有限公司申请的专利一种微弧氧化膜及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115961324B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211589895.8,技术领域涉及:C25D11/26;该发明授权一种微弧氧化膜及其制备方法是由史浩伯;杨茗佳;贾毅;陈子琪;田伟智;高鑫;刘晓宇;许宝文设计研发完成,并于2022-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种微弧氧化膜及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明涉及一种微弧氧化膜及其制备方法,该微弧氧化膜包含氮化硼颗粒和氮化硅颗粒。本发明一实施方式的微弧氧化膜,具有较高的发射率和良好的耐磨性。
本发明授权一种微弧氧化膜及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种自润滑型高发射钛合金微弧氧化膜,包含氮化硼颗粒和氮化硅颗粒,氮化硼颗粒的粒径为10~20nm,氮化硅颗粒的粒径为300~500nm,氮化硼颗粒与氮化硅颗粒的质量比为3~10:5;所述微弧氧化膜的厚度为15~25μm,25℃的发射率≥0.84,650℃的发射率≥0.80,硬度为830~1015HV,摩擦系数为0.2~0.65; 所述微弧氧化膜通过微弧氧化工艺在钛合金基体上形成,微弧氧化工艺所使用的电解液包括氮化硼颗粒和氮化硅颗粒,氮化硼颗粒与氮化硅颗粒的质量之和的浓度为1.0~4.0gL;微弧氧化工艺采用阶梯式升压工艺进行恒压微弧氧化,包括:在电源频率为300~500Hz、占空比为5%~20%的条件下,于300~350V的电压下氧化20~30min以及550~650V的电压下氧化15~20min。
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