长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院王晓光获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115884600B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111144928.3，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由王晓光;曾定桂;李辉辉;邓杰芳;曹堪宇设计研发完成，并于2021-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：基底，具有第一表面；若干存储元件，位于基底的第一表面上，存储元件按第一预设图形排布；若干存储接触结构，与存储元件一一对应，且存储接触结构的底部与存储元件的顶部相接触，存储接触结构的顶部按第二预设图形排布；其中，存储接触结构的底部和存储接触结构的顶部相对设置。通过该设置使得按照第一预设图形排布的存储元件上可以形成按照第二预设图形排布的器件结构，消除存储元件的排布形状对存储元件上形成的器件结构的排布或形状的影响，达到降低工艺难度，降低生产成本的目的。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于， 包括： 基底，具有第一表面； 若干存储元件，位于所述基底的第一表面上，所述存储元件按第一预设图形排布； 若干存储接触结构，与所述存储元件一一对应，且所述存储接触结构的底部与所述存储元件的顶部相接触，所述存储接触结构的顶部按第二预设图形排布，其中，所述存储接触结构的底部和所述存储接触结构的顶部相对设置； 若干晶体管，位于所述基底与所述存储元件之间，所述晶体管与所述存储元件一一对应，所述晶体管按所述第二预设图形排布； 若干晶体管接触结构，位于所述晶体管与所述存储元件之间，分别与所述晶体管、所述存储元件相接触，且所述晶体管接触结构的顶部按所述第一预设图形排布。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励