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龙图腾网获悉无锡华润上华科技有限公司申请的专利半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763252B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111027944.4，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件的制造方法是由张松;周耀辉;刘群;王德进设计研发完成，并于2021-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件的制造方法，应用于半导体领域。具体的，其在半导体衬底的表面上形成一定厚度的金属层之后，并对其进行硅化工艺的时候，通入浓度可调的预定量氧气，以使所述金属层的底层与所述半导体衬底发生反应转换成金属硅化物层的同时，所述金属层的表层与所述氧气发生反应，形成一定厚度的金属氧化物层，从而在现有工艺的基础上，且不增加额外步骤和额外成本的情况下，最大程度的消耗了所述金属层，从而实现能够灵活控制形成的金属硅化物的厚度，进而得到厚度更薄的金属硅化物，最终解决了顶部半导体层硅特别薄的SOI工艺的漏电问题。

本发明授权半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： S1，提供一半导体衬底，所述半导体衬底的表面上形成有至少一个分立的栅极结构，所述半导体衬底内还设置有位于所述栅极结构两侧的漏区和源区； S2，形成金属层，所述金属层覆盖在所述栅极结构的表面上，并延伸覆盖在所述漏区和源区对应的半导体衬底的表面上； S3，对所述半导体衬底进行第一次热处理，并同时通入浓度可调的预定量的氧气，以使部分所述金属层面向所述半导体衬底的表层转换为金属硅化物层的同时，所述金属层背向所述半导体衬底的表层转换为金属氧化物层； S4，刻蚀所述金属氧化物层和剩余未转换的金属层，以暴露出形成在所述栅极结构、所述漏区和所源区顶面上的金属硅化物层； S5，对所述半导体衬底进行第二次热处理； 所述半导体衬底为绝缘体上硅衬底，所述绝缘体上硅衬底具有自下至上依次堆叠的底部半导体层、绝缘埋层和顶部半导体层； 在步骤S2中形成的所述金属层的材料包括金属钴，形成的所述金属层的厚度范围为： 在步骤S3中对所述半导体衬底进行第一次热处理的工艺为快速升温退火工艺，所述快速升温退火工艺的温度范围为：1000℃～1100℃； 在步骤S3中通入的氧气的浓度范围为：3Lmin～16Lmin。

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