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龙图腾网获悉无锡华润华晶微电子有限公司申请的专利IGBT器件的元胞结构、IGBT器件及IGBT短路保护电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115732494B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111023737.1，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权IGBT器件的元胞结构、IGBT器件及IGBT短路保护电路是由贾鹏飞;芮强;李巍设计研发完成，并于2021-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本IGBT器件的元胞结构、IGBT器件及IGBT短路保护电路在说明书摘要公布了：本发明提供了一种IGBT器件的元胞结构、IGBT器件以及IGBT短路保护电路，在IGBT器件的元胞结构中集成采样元胞，以在IGBT主元胞形成的IGBT晶体管的外围形成一静电感应晶体管，由此，在采样元胞的采样感应电极上可直接得到采样电压可调的弱电，实现IGBT晶体管的集电极的电压状态的实时反馈，根据该反馈结果可安全快速检测IGBT器件是否处于退保和状态，具有结构简单、集成度高、快速反应、外围电路简化且成本低等优点。

本发明授权IGBT器件的元胞结构、IGBT器件及IGBT短路保护电路在权利要求书中公布了：1.一种IGBT器件的元胞结构，包括形成在同一第一导电类型的漂移区上的IGBT主元胞和采样元胞，其特征在于，所述采样元胞包括： 第一导电类型的感应区，所述感应区形成在所述漂移区的顶部表层中； 两个第二导电类型的掺杂区，形成在所述漂移区的顶部中且对称分布在所述感应区的两侧； 两个阻挡沟槽，与两个所述掺杂区一一对应设置且每个所述阻挡沟槽分别夹设在相应的所述掺杂区和所述感应区之间，所述阻挡沟槽的深度小于所述感应区和所述掺杂区形成的PN结的结深； 第二导电类型的采样集电区，所述采样集电区设置在所述漂移区的底部； 采样感应电极，设置在所述漂移区的顶面上并与所述感应区电性接触； 采样发射极，设置在所述漂移区的顶面上并与两个所述掺杂区一一对应地设置和电性接触； 采样集电极，设置在所述漂移区的底面上并与所述采样集电区电性接触； 所述IGBT主元胞包括: 第二导电类型的体区，形成在所述漂移区的顶部； 第二导电类型的体接触区，形成在所述体区的顶部表层中； 第一导电类型的发射区，形成在所述体区的顶部表层中且位于所述体接触区的两侧； 第一导电类型的埋置区，形成在所述漂移区中且位于所述体区的下方； 两个栅极沟槽，形成在所述漂移区中且分布在所述体区的两侧，各个所述栅极沟槽的深度均大于所述埋置区的深度，各个所述栅极沟槽中形成有栅介质层并填充有栅极； 第二导电类型的IGBT集电区，所述IGBT集电区设置在所述漂移区的底部； IGBT发射极，设置在所述漂移区的顶面上并与所述发射区和所述体接触区同时电性接触； IGBT集电极，设置在所述漂移区的底面上并与所述IGBT集电区电性接触。

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