长鑫存储技术有限公司林峰获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利电路仿真测试方法、装置、设备及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115640172B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110821065.2，技术领域涉及：G06F11/22；该发明授权电路仿真测试方法、装置、设备及介质是由林峰;赵康;吴增泉设计研发完成，并于2021-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本电路仿真测试方法、装置、设备及介质在说明书摘要公布了：本申请涉及一种电路仿真测试方法、装置、设备及介质，所述方法包括：创建参数化数据模型，所述参数化数据模型用于根据预设参数，生成预设写入数据；创建测试平台，所述测试平台用于根据所述预设写入数据生成测试结果；创建眼图生成模块，所述眼图生成模块用于根据所述测试结果生成数据眼图；进行仿真测试，将所述预设写入数据输入至所述测试平台并获取测试结果，利用所述眼图生成模块生成数据眼图。本申请能够快速测试出电路性能符合预设标准的半导体产品，提高出厂的半导体产品的良率及可靠性。
本发明授权电路仿真测试方法、装置、设备及介质在权利要求书中公布了：1.一种电路仿真测试方法，其特征在于，包括： 创建参数化数据模型，所述参数化数据模型用于根据预设参数，生成预设写入数据； 创建测试平台，所述测试平台用于根据所述预设写入数据生成测试结果； 创建眼图生成模块，所述眼图生成模块用于根据所述测试结果生成数据眼图； 进行仿真测试，将所述预设写入数据输入至所述测试平台并获取测试结果，利用所述眼图生成模块生成数据眼图； 其中，所述预设写入数据为串行的多位数据串； 所述预设参数包括第一值和第二值；所述预设写入数据被配置为：若前一位数据为低电平时，后一位高电平数据的电压比预设高电压低所述第一值；且若前一位数据为高电平时，后一位低电平数据的电压比预设低电压高所述第二值。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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