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龙图腾网获悉无锡美偌科微电子有限公司申请的专利高可靠性功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115548121B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211265981.3，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权高可靠性功率器件及其制备方法是由许龙来;王荣华;章文红;梁凯设计研发完成，并于2022-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本高可靠性功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高可靠性功率器件及其制备方法。其包括：衬底；对任一元胞，在每个元胞沟槽的两侧均制备第二导电类型基区以及基于ballast结构的源极接触孔连接结构；源极接触孔连接结构，包括第一导电类型源区、接触孔以及第二导电类型接触区，第二导电类型接触区位于第二导电类型基区内，在第二导电类型接触区与第一导电类型源区结合部相对应的接触孔侧壁设置第二导电类型接触补偿部；源极金属填充于源极接触孔连接结构内的接触孔内后，补偿基于ballast结构中源极金属与第二导电类型接触区的欧姆接触面积。本发明对形成的ballast结构，能提高反向耐压时的可靠性。

本发明授权高可靠性功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高可靠性功率器件，其特征是，包括： 衬底，呈第一导电类型，其中，在所述衬底正面的中心区制备有源区； 有源区，包括若干并联分布的元胞，其中，元胞采用沟槽结构，对任一元胞，所述元胞包括至少一个元胞沟槽，在每个元胞沟槽的两侧均制备第二导电类型基区以及基于ballast结构的源极接触孔连接结构，第二导电类型基区与元胞沟槽的外侧壁接触，其中，基于所述ballast结构提升所述功率器件的短路电流能力； 源极接触孔连接结构，包括与第二导电类型基区适配的第一导电类型源区、若干由第一导电类型源区间隔的接触孔以及与接触孔呈一一对应的第二导电类型接触区，其中，第一导电类型源区包括第一导电类型分隔区，利用第一导电类型分隔区分隔接触孔，第二导电类型接触区位于第二导电类型基区内，在元胞沟槽的深度方向上，第二导电类型接触区与第一导电类型分隔区之间具有距离，在第二导电类型接触区与第一导电类型分隔区结合部相对应的接触孔侧壁设置第二导电类型接触补偿部； 源极金属填充于源极接触孔连接结构内的接触孔内后，利用源极金属与所填充接触孔内第二导电类型接触补偿部的欧姆接触，以补偿基于ballast结构中源极金属与第二导电类型接触区的欧姆接触面积。

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