英利能源发展有限公司潘明翠获国家专利权
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龙图腾网获悉英利能源发展有限公司申请的专利一种单面制绒的单晶硅片和TOPCon电池片的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513313B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211188840.6，技术领域涉及：H10F77/70；该发明授权一种单面制绒的单晶硅片和TOPCon电池片的制备方法是由潘明翠;郎芳;李锋;夏新中;王红芳;翟金叶;马红娜;孟庆超;李青娟设计研发完成，并于2022-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种单面制绒的单晶硅片和TOPCon电池片的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开了一种单面制绒的单晶硅片和TOPCon电池片的制备方法。所述单面制绒的单晶硅片的制备方法包括以下工艺步骤：a、将液体硅酸钠涂覆至单晶硅片的非制绒面并烘干，得到涂覆硅酸钠层的单晶硅片；b、将涂覆硅酸钠层的单晶硅片的制绒面进行制绒，然后酸洗去除硅酸钠层，得到单面制绒的单晶硅片。TOPCon电池片的制备方法为：将单面制绒的单晶硅片依次进行扩散、去BSGPSG、制备隧穿氧化层、多晶硅沉积+磷扩散原位掺杂、清洗、正面氧化铝沉积、正面氮化硅沉积、背面氮化硅沉积、印刷+烧结处理得到。本发明提供的单面制绒的单晶硅片的制备方法具有成本低，易操作，电转化效率高的优势。
本发明授权一种单面制绒的单晶硅片和TOPCon电池片的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种单面制绒的单晶硅片的制备方法，其特征在于：包括以下工艺步骤： a、将液体硅酸钠涂覆至单晶硅片的非制绒面并烘干，得到涂覆硅酸钠层的单晶硅片； b、对涂覆硅酸钠层的所述单晶硅片的制绒面进行制绒，然后酸洗去除所述硅酸钠层，得到单面制绒的单晶硅片； 步骤a中，所述硅酸钠层厚度为5μm-150μm； 步骤a中，所述烘干的温度为70℃-130℃，时间为60s-1800s。
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