上海华虹宏力半导体制造有限公司金锋获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利LDMOS器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513283B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211131028.X，技术领域涉及：H10D64/00；该发明授权LDMOS器件及其形成方法是由金锋;朱宇彤;蔡莹;潘山山设计研发完成，并于2022-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本LDMOS器件及其形成方法在说明书摘要公布了：一种LDMOS器件及其形成方法，其中结构包括：位于衬底内的深阱区，深阱区为第二导电类型，第二导电类型与第一导电类型相反；位于深阱区表面的场氧结构，场氧结构顶部表面高于衬底顶部表面，场氧结构包括第一场氧层、第二场氧层以及位于第一场氧层和第二场氧层之间的若干第三场氧层，第一场氧层、第二场氧层和若干第三场氧层均相互分立；位于深阱区内的体区，体区与第一场氧层相邻，且体区为第一导电类型；位于部分第一场氧层表面和部分体区表面的第一栅场板；位于部分第二场氧层表面的第二栅场板；位于场氧结构两侧的源区和漏区，源区位于体区内，漏区位于深阱区内，源区和漏区为第二导电类型，提高了器件的耐压能力。
本发明授权LDMOS器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种LDMOS器件的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底为第一导电类型； 在所述衬底内形成深阱区，所述深阱区为第二导电类型，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反； 在部分所述深阱区表面形成场氧结构，所述场氧结构顶部表面高于所述衬底顶部表面，所述场氧结构包括第一场氧层、第二场氧层以及位于第一场氧层和第二场氧层之间的若干第三场氧层，所述第一场氧层、所述第二场氧层和所述若干第三场氧层均相互分立； 在所述深阱区内形成体区，所述体区为第一导电类型，所述体区与所述第一场氧层相邻； 在部分所述场氧结构表面形成第一栅场板和第二栅场板，所述第一栅场板位于部分所述第一场氧层表面，且还延伸至部分所述体区表面，所述第二栅场板位于部分所述第二场氧层表面； 在所述场氧结构两侧形成源区和漏区，所述源区位于所述体区内，所述漏区位于所述深阱区内，所述源区和所述漏区为第二导电类型。
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